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J-GLOBAL ID：201702251949608922   整理番号：17A0449326

大きく改善された光触媒性能のための界面電荷移動効果を介した炭素nanodots/Feドープしたg C_3N_4に及ぼすグラフト化Fe(III)化学種【Powered by NICT】

Grafting Fe(III) species on carbon nanodots/Fe-doped g-C₃N₄ via interfacial charge transfer effect for highly improved photocatalytic performance

著者 (5件)： Liu Qiong (Key Laboratory of Enhanced Heat Transfer and Energy Conservation, The Ministry of Education, School of Chemistry and Chemical Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Chen Tianxiang (Key Laboratory of Enhanced Heat Transfer and Energy Conservation, The Ministry of Education, School of Chemistry and Chemical Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Guo Yarong (Key Laboratory of Enhanced Heat Transfer and Energy Conservation, The Ministry of Education, School of Chemistry and Chemical Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Zhang Zhengguo (Key Laboratory of Enhanced Heat Transfer and Energy Conservation, The Ministry of Education, School of Chemistry and Chemical Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Fang Xiaoming (Key Laboratory of Enhanced Heat Transfer and Energy Conservation, The Ministry of Education, School of Chemistry and Chemical Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China)
資料名： Applied Catalysis. B: Environmental  (Applied Catalysis. B: Environmental)
巻： 205  ページ： 173-181  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0375A  ISSN： 0926-3373  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭素量子ドット(CQD)はFeドープg C_3N_4と結合した二成分系複合材料光触媒,光誘起キャリアと増強された表面吸収活性部位の再結合遅延を示すを調製した。,界面電荷移動効果(IFCT)を簡単な含浸法によりCQDs/Feドープg C_3N_4表面にグラフト化Fe(III)種による二成分複合材料を紹介した。得られた三成分Fe(III)/CQDs/Feドープg C_3N_4複合光触媒は1200nmに拡張した吸収領域と大きく増加した光吸収を示し,界面電荷移動(IFCF)効果を通した電荷再結合を効率的に阻害した。CQDにより提供された増加した表面吸収活性部位は二元Fe(III)/Feドープg C_3N_4複合材料,光触媒活性に有利なよりも三成分系光触媒に固定されたFe(III)種の量に導くことを明らかにした。E PRプローブ実験は,OH活性種は可視光照射下での三元Fe(III)/CQDs/Feドープg C_3N_4光触媒,界面電荷移動(IFCF)効果の間の協力とFe(III)種の存在,MO及びフェノールの分解への高度に強化された光触媒性能を説明するによる光-Fenton反応から発生できたことを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *界面 ,  再結合 ,  *光触媒 ,  *電荷移動 ,  含浸 ,  量子ドット ,  三成分系 ,  *ドーピング ,  光吸収 ,  二成分系 ,  *触媒活性 ,  活性部位
準シソーラス用語： 可視光照射 ,  光触媒活性 ,  光誘起 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 展望 ,  g C_3N_4 ,  界面電荷移動効果 ,  炭素ナノドット

分類 (1件)： 光化学反応  (CB08020F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 触媒性能 ,  界面電荷 ,  炭素 ,  Fe ,  ドープ ,  グラフト ,  化学種