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J-GLOBAL ID：201702252227105732   整理番号：17A0764669

Al_xGa(1 x)N/GaNヘテロ構造におけるAl_xGa(1 x)N障壁中のAl組成ゆらぎにより誘起された2次元電子ガスの散乱挙動【Powered by NICT】

Scattering behaviour of a two-dimensional electron gas induced by Al composition fluctuation in Al_xGa_(1-x)N barriers in Al_xGa_(1-x)N/GaN heterostructures

著者 (8件)： Wang Yan (School of Physics,Peking University) ,  Shen Bo (School of Physics,Peking University) ,  Xu Fu-Jun (School of Physics,Peking University) ,  Huang Sen (School of Physics,Peking University) ,  Miao Zhen-Lin (School of Physics,Peking University) ,  Lin Fang (School of Physics,Peking University) ,  Yang Zhi-Jian (School of Physics,Peking University) ,  Zhang Guo-Yi (School of Physics,Peking University)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 18  号： 5  ページ： 2002-2005  発行年： 2009年05月 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,陰極線ルミネセンス(CL)測定はAl(0.3)Ga(0.7)N/GaNヘテロ構造中のAl(0.3)Ga(0.7)N層の合金変動を研究するために行われていることを報告した。CL画像と線状走査の結果は,Al(0.3)Ga(0.7)N障壁中のAlの組成変動の存在を示した。δ形状摂動ハミルトン関数を用いたモデルはAl組成変動によって誘起された二次元電子ガス(2DEG)の散乱確率をシミュレートするために提案した。Al組成変動によって誘起された二因子,伝導帯変動と分極電場変化を含む,を考慮した。両因子により誘導される散乱緩和時間は0.31nsと0.0078nsであると推定され,それぞれ,圧電場の変動は,Al変動によって誘起された2次元電子ガスの散乱における支配的であることを示している。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 摂動 ,  *二次元電子ガス ,  電場 ,  ハミルトニアン ,  *散乱 ,  緩和時間 ,  画像 ,  *アルミニウム ,  伝導バンド ,  陰極線ルミネセンス ,  圧電気 ,  *ゆらぎ ,  分極 ,  *ガリウム
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 散乱 ,  陰極線ルミネセンス ,  fluctuation

分類 (2件)： 固体プラズマ  (BM02160W) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (10件)： GaN ,  ヘテロ構造 ,  障壁 ,  Al ,  組成 ,  ゆらぎ ,  誘起 ,  2次元電子ガス ,  散乱 ,  挙動