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J-GLOBAL ID：201702252665523676   整理番号：17A0407029

10%GdとTiを共ドープしたBiFeO_3:有望なマルチフェロイック材料【Powered by NICT】

The 10% Gd and Ti co-doped BiFeO₃: A promising multiferroic material

著者 (15件)： Basith M.A. (Department of Physics, Bangladesh University of Engineering and Technology, Dhaka 1000, Bangladesh) ,  Billah Areef (Department of Physics, Bangladesh University of Engineering and Technology, Dhaka 1000, Bangladesh) ,  Jalil M.A. (Department of Physics, Bangladesh University of Engineering and Technology, Dhaka 1000, Bangladesh) ,  Yesmin Nilufar (Department of Physics, Bangladesh University of Engineering and Technology, Dhaka 1000, Bangladesh) ,  Sakib Mashnoon Alam (Department of Physics, Bangladesh University of Engineering and Technology, Dhaka 1000, Bangladesh) ,  Sakib Mashnoon Alam (Department of Electrical and Electronic Engineering, Bangladesh University of Engineering and Technology, Dhaka 1000, Bangladesh) ,  Ashik Emran Khan (Department of Physics, Bangladesh University of Engineering and Technology, Dhaka 1000, Bangladesh) ,  Ashik Emran Khan (Department of Electrical and Electronic Engineering, Bangladesh University of Engineering and Technology, Dhaka 1000, Bangladesh) ,  Hoque Yousuf S.M. Enamul (Department of Physics, Bangladesh University of Engineering and Technology, Dhaka 1000, Bangladesh) ,  Hoque Yousuf S.M. Enamul (Department of Electrical and Electronic Engineering, Bangladesh University of Engineering and Technology, Dhaka 1000, Bangladesh) ,  Chowdhury Sayeed Shafayet (Department of Physics, Bangladesh University of Engineering and Technology, Dhaka 1000, Bangladesh) ,  Chowdhury Sayeed Shafayet (Department of Electrical and Electronic Engineering, Bangladesh University of Engineering and Technology, Dhaka 1000, Bangladesh) ,  Hossain Md. Sarowar (S. N. Bose National Centre for Basic Sciences, Salt Lake City, Kolkata, West Bengal 700098, India) ,  Firoz Shakhawat H. (Department of Chemistry, Bangladesh University of Engineering and Technology, Dhaka 1000, Bangladesh) ,  Ahmmad Bashir (Graduate School of Science and Engineering, Yamagata University, 4-3-16 Jonan, Yonezawa 992-8510, Japan)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 694  ページ： 792-799  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,非ドープBiFeO_3,GdドープBi_0 9Gd_0 1FeO_3,Gd-Tiを共ドープしたBi_0 9Gd_0 1Fe_1 xTi_xO_3(x=0.10,0.20)材料を合成しそれらのマルチフェロイック特性を報告した。これらマルチフェロイックセラミックの構造解析と相同定をRietveld精密化を用いて行った。Rietveld解析は,研究下で他の組成のものと比較して10%Gd-Tiを共ドープしたBi_0 9Gd_0 1Fe_0 9Ti_0 1O_3試料の高い相純度を確認した。この特定組成の主要な相は無視できる量の不純物相の菱面体晶R3c型構造(wt%>99%)であった。特性に関しては,以前に報告された研究に適用したよりも実質的に高い磁場を適用することにより,この共ドープセラミック系の磁気的性質を調べた。磁化挙動に及ぼす温度と最大印加磁場の依存性についても調べた。,漏れ電流密度は,このマルチフェロイック系の強誘電特性に及ぼすその影響を調べるために測定した。本研究の結果は,BiFeO_3でそれぞれBiとFeの代わりに10%GdとTiの置換はそのマルチフェロイック特性を有意に増強することを示唆した。この特定組成の改善された特性は均一なグレインサイズの減少,不純物相の有意な抑制と更なる分極対電場ヒステリシスループ測定により主張である漏れ電流密度の減少と関連している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電場 ,  構造解析 ,  強誘電性 ,  不純物 ,  *ドーピング ,  精密化 ,  *鉄 ,  三方晶系 ,  漏れ電流 ,  Rietveld法 ,  *チタン
準シソーラス用語： ヒステリシスループ ,  漏れ電流密度 ,  *磁性強誘電体 ,  *マルチフェロイック材料 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Multiferroics ,  BiFeO_3 ,  磁化 ,  Coercivity ,  交換バイアス ,  漏れ電流

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (3件)： Ti ,  ドープ ,  マルチフェロイック材料