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J-GLOBAL ID：201702252945383878   整理番号：17A0444973

Ni_1 xPt_xに関する第2回アニーリング段階の影響:Si膜の熱安定性【Powered by NICT】

The effect of the second annealing step on the Ni_1-xPt_x:Si film thermal stability

著者 (9件)： Pages X. (Levitech BV, 10 Versterkerstraat, 1322 AP Almere, The Netherlands) ,  Binder R. (GLOBALFOUNDRIES Dresden, Wilschdorfer Landstraβe 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Vanormelingen K. (Levitech BV, 10 Versterkerstraat, 1322 AP Almere, The Netherlands) ,  Smits M. (Levitech BV, 10 Versterkerstraat, 1322 AP Almere, The Netherlands) ,  Granneman E. (Levitech BV, 10 Versterkerstraat, 1322 AP Almere, The Netherlands) ,  Weisheit M. (GLOBALFOUNDRIES Dresden, Wilschdorfer Landstraβe 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Dittmar K. (GLOBALFOUNDRIES Dresden, Wilschdorfer Landstraβe 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Jansen S. (GLOBALFOUNDRIES Dresden, Wilschdorfer Landstraβe 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Rinderknecht J. (GLOBALFOUNDRIES Dresden, Wilschdorfer Landstraβe 101, 01109 Dresden, Germany)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 171  ページ： 44-52  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,その熱安定性に及ぼす薄いNi_1 xPt_x:Si膜の形成史の影響を調べた。膜分解は連続膜物理的に分離した島への変換として現れた,シート抵抗の増加をもたらした。より高いシリサイドピーク形成温度は低下した熱安定性をもたらすことが観察された。その結果レーザ/フラッシュミリ秒アニールと比較して導電性加熱の実証した改善されたシリサイドの熱安定性。この改良された熱安定性は,応力,粒径とPt分布の観点から考察した。観察された熱安定性の差は膜中の残留応力の観点から説明することができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *熱安定性 ,  ケイ化物 ,  シート抵抗 ,  粒径 ,  レーザ ,  残留応力 ,  *焼なまし ,  導電性

著者キーワード (5件)： Ni-Ptシリサイド ,  熱安定性 ,  Pt拡散 ,  ストレス ,  急速熱アニーリング

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： アニーリング ,  段階 ,  Si膜 ,  熱安定性