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J-GLOBAL ID:201702253514609279   整理番号:17A0664485

化学溶液堆積により調製した酸化セリウム膜のエピタキシャル成長挙動に及ぼす基板表面形態の役割【Powered by NICT】

Role of substrate surface morphology on the epitaxial growth behavior of cerium oxide films prepared by chemical solution deposition
著者 (10件):
資料名:
巻: 19  号:ページ: 795-801  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2462A  ISSN: 1466-8033  CODEN: CRECF4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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CeO_2膜は特別な表面形態を持つ%W基板でNi-5上に化学溶液堆積により調製した。細孔と溝を含むNiW基板の特殊な形態は電気化学的エッチングプロセスにより得ることができた。酸化セリウム膜の核形成と成長挙動に及ぼす基板表面形態の影響を調べた。ミクロ細孔はCeO_2膜のランダム核形成に強く影響した。NiW基板表面上の細孔径を増加させると,エピタキシャル核形成モードは支配的モードとなった。c軸配向結晶粒の量は増加し,面内FWHM値は減少した。一方,溝はCeO_2膜の結晶化に及ぼす弱い影響を有していた。純粋な(00l)配向結晶粒とCeO_2膜の鋭い集合組織は大きな溝を持つ基板上に得ることができた。これは基板表面形態はCeO_2膜の結晶化挙動に重要な役割を果たしていることを明らかにした。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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吸着剤  ,  酸化物薄膜 

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