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J-GLOBAL ID:201702254460972988   整理番号:17A0575056

ポリスチレン-b-ポリ(炭酸プロピレン)の熱アニーリングによる化学パターン上の誘導自己組織化を用いる次世代リソグラフィー

Directed Self-Assembly of Polystyrene-b-poly(propylene carbonate) on Chemical Patterns via Thermal Annealing for Next Generation Lithography
著者 (12件):
資料名:
巻: 17  号:ページ: 1233-1239  発行年: 2017年02月 
JST資料番号: W1332A  ISSN: 1530-6984  CODEN: NALEFD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ブロック共重合体(BCP)の誘導自己組織化(DSA)は通常のフォトリソグラフィーと高分子材料の利点を組合せ,であり,半導体およびデータ貯蔵応用に有用である。しかし,エレクトロニクスにおける集積度の増大,小型化および高性能化に駆動されて,工業標準であるポリスチレン-b-ポリメタクリル酸メチル(PS-b-PMMA)を用いるDSA戦略は固有のFlory-Huggins相互作用パラメータ(χ)の限界によりリソグラフィー技術の迅速な発展に適合できなくなっている。数百のブロック共重合体が開発されているが,これらのBCPシステムは通常高いχと熱処理のトレードオフにより,現在のナノ製造組立プロセスに不適当となって来た。本報はポリスチレン-b-ポリ炭酸プロピレン(PS-b-PPC)が次世代リソグラフィーのDSA戦略の重要な位置を占めることを見出した。PS-b-PPCのχ推算値は0.079で,PS-b-PMMA(150°Cにおいてχ=0.029)の二倍と大きく,一方工業的に好ましい熱処理による垂直のサブ10nm形状(円筒およびラメラ)の形成能力を持つ。化学エピタキシャル密度多重化におけるPS-b-PPCのDSAラメラ形成は大面積パターニングによるナノ作製技術においてサブ10nm長距離秩序特性を実証した。工業的なインフィルトレーションシーケンス合成によるケイ素基板へのパターン移動をあわせて組込んだ。高いχ値(溶媒アニーリング,中性トップコート,化学修飾を含む)による配向制御の従来報告されている方法と比べて,PS-b-PPCは調製が容易で高いχ値をもち,エッチング選択性および熱処理耐久性をもち,ナノリソグラフィー分野における有用な先進技術候補であることを実証した。
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分類 (3件):
分類
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固体デバイス製造技術一般  ,  高分子固体のその他の性質  ,  共重合 
物質索引 (4件):
物質索引
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