文献

J-GLOBAL ID：201702256985808509   整理番号：17A0756776

SAWデバイスのためのVUV/O_3処理により支援された非晶質中間層を持つLiTaO_3/ST水晶結合の研究【Powered by NICT】

Study of LiTaO₃/ST-quartz bonding with amorphous interlayer assisted by VUV/O₃ treatment for SAW device

著者 (5件)： Suzaki Haruka (Waseda University, 3-4-1 Okubo, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Kuwae Hiroyuki (Waseda University, 3-4-1 Okubo, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Okada Akiko (Waseda University, 3-4-1 Okubo, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Shoji Shuichi (Waseda University, 3-4-1 Okubo, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Mizuno Jun (Research Organization for Nano and Life Innovation, Waseda University, 513 Waseda Tsurumaki-cho, Shinjuku, Tokyo 162-0041, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IMPACT  ページ： 239-242  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面音響波(SAW)デバイスの開発は次の第五世代(5G)移動通信を達成するために注目されている。以前に非晶質中間結合(AIB)法を用いて直接結合圧電単結晶温度補償SAW基板,LiTaO_3(LT:タンタル酸リチウム)/STカット水晶(ST水晶),を提案した。本論文では,将来のSAWデバイスのための圧電単結晶の結合の改善などの目的のため種々の非晶質層を用いて結合特性を調べた。LTおよびST水晶の接合界面への中間層として以前に報告された非晶質SiO_2(αSiO_2)として非晶質Al_2O_3(αAl_2O_3)を適用し,a Al_2O_3は親水性処理に対する高い水腐食抵抗を有していた。非晶質中間層の両方を持つ基質を成功裏に酸素ガス(VUV/O_3)の存在下での真空紫外照射で支援された結合した。特に,a Al_2O_3層を持った基質は10.5MPaの支配的な最高の接合強度,αSiO_2層を有する基板より約三倍を達成した。これらの結果は,αAl_2O_3層がVUV/O_3種の親水性処理の影響を改善し,LT/ST石英基板を作製するために望ましいことを示した。非晶質中間層を調べるために圧電単結晶結合は十分に強く,将来のSAW素子を作製するために有望である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： タンタル酸リチウム ,  基質 ,  圧電気 ,  *弾性表面波素子 ,  弾性表面波 ,  単結晶 ,  *非晶質 ,  親水性 ,  移動通信 ,  付着強さ ,  温度補償 ,  アルミニウム ,  耐食性
準シソーラス用語： 接合界面 ,  *水晶 ,  *中間層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 弾性表面波デバイス  (NC03120T)

タイトルに関連する用語 (8件)： SAWデバイス ,  VUV ,  支援 ,  非晶質 ,  中間層 ,  ST ,  水晶 ,  研究