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J-GLOBAL ID：201702259238538935   整理番号：17A0462066

電子線照射された高移動度金属-酸化物-シリコントランジスタにおける浅いSi/SiO₂界面トラップのアニーリング

Annealing shallow Si/SiO₂ interface traps in electron-beam irradiated high-mobility metal-oxide-silicon transistors

著者 (3件)： Kim J.-S. (Department of Electrical Engineering, Princeton University, Princeton, New Jersey 08544, USA) ,  Tyryshkin A. M. (Department of Electrical Engineering, Princeton University, Princeton, New Jersey 08544, USA) ,  Lyon S. A. (Department of Electrical Engineering, Princeton University, Princeton, New Jersey 08544, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 12  ページ： 123505-123505-4  発行年： 2017年03月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *電子照射 ,  移動度 ,  *MOSFET ,  ケイ素 ,  二酸化ケイ素 ,  *キャリア捕獲 ,  *焼なまし ,  電子ビームリソグラフィー ,  電子装置 ,  パーコレーション ,  閾値 ,  密度 ,  高移動度 ,  *界面トラップ ,  量子デバイス ,  トラップ密度
準シソーラス用語： 電子線照射 ,  *MOSトランジスタ ,  Si ,  *アニーリング ,  電子線リソグラフィー ,  パーコレーション閾値

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： 電子線照射 ,  高移動度 ,  酸化物 ,  シリコン ,  トランジスタ ,  Si ,  SiO2 ,  界面トラップ ,  アニーリング