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J-GLOBAL ID:201702259252079968   整理番号:17A0313449

パルスレーザ蒸着により作製した(AlGa)_2O_3薄膜の特性に及ぼす基板温度の影響【Powered by NICT】

Influence of substrate temperature on the properties of (AlGa)2O3 thin films prepared by pulsed laser deposition
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巻: 42  号: 11  ページ: 12783-12788  発行年: 2016年08月15日 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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(AlGa)2O_3薄膜を種々の基板温度でパルスレーザ蒸着により(0001)サファイア基板上に堆積した。表面形態,光学特性,および結晶品質に及ぼす基板温度の影響を原子間力顕微鏡,透過スペクトル,X線回折,およびRaman分光法によって系統的に調べた。結果は,すべての(AlGa)2O_3膜は滑らかな表面と高い透過率を持つことを明らかにした。良好な結晶品質を有する(AlGa)2O_3膜は400°Cの基板温度で得ることができた。著者らの結果は,Ga_2O_3ベース量子井戸を実現するための実験的基礎を提供する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 
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