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J-GLOBAL ID：201702259440608299   整理番号：17A0082476

プラズマ窒化法によりオーステナイト系ステンレス鋼表面に形成した S 相のX線残留応力および S 相上に成膜した DLC 膜の残留応力測定

著者 (3件)： 三木靖浩 (奈良県産業振興総合センター 生活・産業技術研究部) ,  西本明生 (関西大学 化学生命工学部 化学・物質工学科) ,  民谷隆純 (関西大学 大学院生)
資料名： 材料  (Journal of the Society of Materials Science, Japan)
巻： 65  号： 7  ページ： 517-524(J-STAGE)  発行年： 2016年 
JST資料番号： F0385A  ISSN： 0514-5163  CODEN： ZARYA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： DCプラズマ窒化(DCPN)とアクティブスクリーンプラズマ窒化(ASPN)によりSUS304上にS相を形成した。さらに,プラズマCVDによりS相上にDLC膜を形成した。窒化層中にはγ′Fe₄Nが混在した。窒化層のX線応力定数CrKα特性X線を用いて評価した。X線残留応力は,S相上のDLC膜の残留応力は,Gピークのramanシフトから,DCPNとASPNを用いた場合,それぞれ-3.2Gpaと-3.0GPaであった。ナノインデンテーションで得られるDLC膜の硬度は非常に大きいがこれは圧縮残留応力が影響を与えている。

シソーラス用語： *窒化層 ,  *イオン窒化 ,  *オーステナイト系ステンレス鋼 ,  *中間相 ,  *DLC膜 ,  *プラズマCVD ,  *残留応力 ,  *X線応力測定 ,  *顕微Raman分光法 ,  ナノインデンテーション
準シソーラス用語： DCプラズマ窒化 ,  Ramanシフト ,  *SUS304 ,  *S相 ,  アクティブスクリーンプラズマ窒化 ,  *圧縮残留応力 ,  応力定数 ,  窒化鉄

著者キーワード (8件)： Plasma nitriding method ,  S-phase ,  Residual stress ,  X-ray stress constant ,  Hardness Nano-indentation ,  DLC film ,  Raman microprobe spectroscopy ,  Young’s modulus

分類 (1件)： その他の材料  (HC02050E)

引用文献 (24件)：

• 1) Z. L. Zhang and T. Bell, “Structure and corrosion resistance of plasma nitrided stainless steel”, Surface Engineering, Vol.1, No.2pp.131-136 (1985).
• 2) K. Ichii, K. Fujimura and T. Takase, “Structure of ion nitrided layers of 18-8 stainless steel”, Technology Reports of Kansai University, Vol.27, pp.135-144 (1986).
• 3) B. A. Latella and K. T. Short, “Tension-driven cracking of an expanded austenite layer”, Journal of Material Science, Vol.39, No.13, pp.4321-4324 (2004).
• 4) D. Hoeft B. A. Latella and K. T. Short, “Residual stress and cracking in expanded austenite layers”, Journal of Physics : Condensed Matter, Vol.17, No.23, pp.3547-3558 (2005).
• 5) T. L. Christiansen, T. S. Hummelshoj and M. A. J. Somers, “Expanded austenite, crystallography and residual stress” Surface Engineering, Vol.26, No.4, pp.242-247 (2010).

タイトルに関連する用語 (9件)： プラズマ窒化法 ,  オーステナイト系ステンレス鋼 ,  相 ,  X線 ,  残留応力 ,  成膜 ,  DLC ,  残留 ,  応力測定