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J-GLOBAL ID：201702261926054697   整理番号：17A0118487

ナノスケールシリコン森林放射層をもつ化合物放出過程によるMEMS IR源の開発【Powered by NICT】

Development of MEMS IR source by compound release process with nano-scale silicon forest radiation layer

著者 (11件)： Liu Weibing (Smart Sensing R&D Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Ming Anjie (Smart Sensing R&D Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Tan Zhenxin (Intelligent Sensors Engineering Center, Jiangsu R&D Center for Internet of Things, Wuxi Jiangsu 214135, People’s Republic of China) ,  Tan Qiulin (National Key Laboratory for Electronic Measurement Technology, North University of China, Taiyuan 030051, People’s Republic of China) ,  Sun Xilong (Smart Sensing R&D Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Li Chaobo (Smart Sensing R&D Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Yang Chengyue (Smart Sensing R&D Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Mao Haiyang (Smart Sensing R&D Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Wang Weibing (Smart Sensing R&D Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Xiong Jijun (National Key Laboratory for Electronic Measurement Technology, North University of China, Taiyuan 030051, People’s Republic of China) ,  Chen Dapeng (Smart Sensing R&D Center, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SENSORS  ページ： 1-3  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 以前の研究に基づいて,放射層の放射率とNDIRガスセンサにおける電気変調パルスMEMS赤外(IR)源のために開発された放出過程の完全性を改善に関する研究を継続した。ナノスケールシリコン森林の二種類の製造プロセスはアルミニウムワイヤボンディングパッドとプラズマ浸漬イオン注入(PIII)ポリシリコンと単結晶シリコンをエッチング下の反応性イオンエッチング(RIE)ドライエッチングポリシリコンで作製した。吸収率の種々の表面トポグラフィーと特性を走査電子顕微鏡(SEM)とFourier変換赤外(FTIR)分光計によりそれぞれ調べた。に加えて,背面KOH湿式エッチングとXeF2ドライエッチングによる化合物放出過程は,改善された収率と均一性の結果として採用した。作製プロセス,結果と解析を行った。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 吸収係数 ,  分光計 ,  放射率 ,  ウェットエッチング ,  エッチング ,  ガスセンサ ,  走査電子顕微鏡 ,  ドライエッチング ,  RIE【エッチング】 ,  Fourier変換 ,  ポリシリコン ,  *MEMS
準シソーラス用語： 表面トポグラフィー ,  単結晶シリコン ,  NDIR , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 森林 ,  放射 ,  放出 ,  過程 ,  MEMS ,  Ir ,  開発