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J-GLOBAL ID：201702263506822999   整理番号：17A1141414

基板再利用に向けたIII-V-N/Siエピタキシャルリフトオフ後の分離面の解析

著者 (7件)： 藤本純弥 (豊橋技科大 大学院) ,  山根啓輔 (豊橋技科大 大学院) ,  後藤聖也 (豊橋技科大 大学院) ,  関口寛人 (豊橋技科大 大学院) ,  岡田浩 (豊橋技科大 EIIRIS) ,  岡田浩 (豊橋技科大 大学院) ,  若原昭浩 (豊橋技科大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.7p-S21-22  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *基板 ,  *再利用 ,  *化合物半導体 ,  *窒素 ,  *ケイ素 ,  *微細加工 ,  *分離 ,  *表面分析 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  リン化物 ,  ヒ化ガリウム ,  *太陽電池 ,  リン化ガリウム ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  III-V半導体 ,  エピタキシャルリフトオフ ,  リン化ガリウムインジウム
準シソーラス用語： InGaP

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 再利用 ,  Si ,  エピタキシャルリフトオフ ,  解析