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J-GLOBAL ID:201702263506822999   整理番号:17A1141414

基板再利用に向けたIII-V-N/Siエピタキシャルリフトオフ後の分離面の解析

著者 (7件):
資料名:
巻: 78th  ページ: ROMBUNNO.7p-S21-22  発行年: 2017年08月25日 
JST資料番号: Y0055B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (2件):
分類
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固体デバイス製造技術一般  ,  太陽電池 
タイトルに関連する用語 (4件):
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