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J-GLOBAL ID：201702263517918679   整理番号：17A0362509

4.5kV IGBTに基づく種々の試験条件下での熱暴走限界の比較【Powered by NICT】

Comparison of thermal runaway limits under different test conditions based on a 4.5kV IGBT

著者 (7件)： Reigosa P.D. (Centre of Reliable Power Electronics (CORPE), Department of Energy Technology, Aalborg University, Pontoppidanstraede 101, 9220 Aalborg, Denmark) ,  Prindle D. (ABB Switzerland Ltd, Semiconductors, Fabrikstrasse 3, CH - 5600 Lenzburg, Switzerland) ,  Paques G. (ABB Switzerland Ltd, Semiconductors, Fabrikstrasse 3, CH - 5600 Lenzburg, Switzerland) ,  Geissmann S. (ABB Switzerland Ltd, Semiconductors, Fabrikstrasse 3, CH - 5600 Lenzburg, Switzerland) ,  Iannuzzo F. (Centre of Reliable Power Electronics (CORPE), Department of Energy Technology, Aalborg University, Pontoppidanstraede 101, 9220 Aalborg, Denmark) ,  Kopta A. (ABB Switzerland Ltd, Semiconductors, Fabrikstrasse 3, CH - 5600 Lenzburg, Switzerland) ,  Rahimo M. (ABB Switzerland Ltd, Semiconductors, Fabrikstrasse 3, CH - 5600 Lenzburg, Switzerland)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 64  ページ： 524-529  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンIGBT技術のためのブロッキング安全動作領域を低減させる温度依存漏れ電流限界を決定することに焦点を当てた。高温で動作するデバイスのための最大定格接合温度を選択するための適切な特性化法の議論を,異なる試験方法を比較することによって与えられる:静的性能(自己加熱効果を含む場合と排除した場合),短絡安全動作面積と高温逆バイアス。さらに,熱モデルは,熱暴走が起こる接合温度を予測した。ガイドラインは,信頼性のある運転を保証する,パラメータ変動の下で熱的に安定であることを保証するための短絡耐量とオフ状態漏れ電流の間の相関に基づいて提案した。本研究では,熱暴走の正確な安定性基準および/またはマージンを定義するための応用技術者を容易にするために有用である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 温度依存性 ,  キャラクタリゼーション ,  ケイ素 ,  安定判別 ,  電流制限 ,  許容量 ,  高温 ,  *IGBT ,  漏れ電流 ,  熱安定性
準シソーラス用語： 熱モデル ,  自己加熱 ,  接合温度 ,  安全動作領域 ,  *熱暴走 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 熱暴走 ,  IGBT ,  熱安定性 ,  接合温度

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： IGBT ,  試験 ,  熱暴走 ,  限界