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J-GLOBAL ID:201702265912560966   整理番号:17A0389376

高開回路電圧を有するp ZnSe CdSコア-シェルヘテロ接合に基づいた高効率光起電素子【Powered by NICT】

Efficient photovoltaic devices based on p-ZnSe/n-CdS core-shell heterojunctions with high open-circuit voltage
著者 (8件):
資料名:
巻:号:ページ: 2107-2113  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2383A  ISSN: 2050-7526  CODEN: JMCCCX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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太陽電池では,高い開回路電圧が高い出力電圧が必要である。通常,開回路電圧を高めるために使用される二つの方法:適切なとマッチした大きなバンドギャップ材料と飽和電流の減少を用いた。ここで,大きいバンドギャップp型ZnSeナノワイヤとn型CdS膜は,高い開回路電圧を有するコア-シェルp-nヘテロ接合を構築した。さらに,界面欠陥を不動態化すると再結合と飽和電流を減少させるために4nm Si_3N_4層はZnSeコアとCdSシェルの間に挿入した。さらに,高速アニーリングプロセスを用いて,性能改善のための直列抵抗を減少させることである。典型的な素子では,その光起電力動作のための達成された~1.3Vの高い開路電圧と~5.27%のエネルギー変換効率。十デバイスを作製し,その安定的で一貫した性能を示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (5件):
分類
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太陽電池  ,  酸化物薄膜  ,  高分子固体の物理的性質  ,  トランジスタ  ,  有機化合物の薄膜 

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