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J-GLOBAL ID：201702266920301783   整理番号：17A0402535

MEMS応用のための新しいAu/Bi_0.7Dy_0 3FeO_3/ZnO/p-Si薄膜MISコンデンサの電気的性質に及ぼす温度効果の観測【Powered by NICT】

Observation of temperature effect on electrical properties of novel Au/Bi_0.7Dy_0.3FeO₃/ZnO/p-Si thin film MIS capacitor for MEMS applications

著者 (5件)： Bhatia Deepak (Department of Electrical Engineering and Centre for Excellence in Nanoelectronics, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India) ,  Roy Sandipta (Centre for Research in Nanotechnology and Science, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India) ,  Nawaz S. (Centre for Research in Nanotechnology and Science, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India) ,  Meena R.S. (Department of Electronics Engineering, Rajasthan Technical University, Kota 324010, India) ,  Palkar V.R. (Department of Electrical Engineering and Centre for Excellence in Nanoelectronics, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 168  ページ： 55-61  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究ではAu Cr/Bi_0.7Dy_0 3FeO_3(BDFO)/ZnO/p-Si(MIS装置)の運転温度(27°C,200°C)に対する電気的性質の依存性を考察した。BDFOの薄膜をp-Si上にパルスレーザ蒸着(PLD)によって堆積した。電気的特性評価から,理想因子(η),障壁高さ)(BH)Au Cr/BDFO/ZnO/p-Si MISのようなデバイス特性を測定した。ηおよびBHの値は200°C及び2.16及び0.30eVで1.34と0.86eVであることが分かったそれぞれ室温(27°C)であった。デバイスの漏れ電流伝導機構を調べ,低電場(<0.92MVcm~ 1)領域におけるSchottky放出(SE)と高電場領域でのトラップ支援Poole-Frenkel(PF)機構であることが分かった。マルチフェロイックBDFOにおける強誘電性と強磁性結合と優れた誘電特性の共存は記憶デバイスの分野で可能性を提供するセンシングとエネルギーハーベスティング(カンチレバー)。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電場 ,  *ケイ素 ,  パルスレーザ蒸着 ,  誘電性 ,  漏れ電流 ,  *電気的性質 ,  *酸化亜鉛 ,  *MEMS ,  *温度依存性 ,  強誘電性 ,  片持梁
準シソーラス用語： エネルギーハーベスティング ,  伝導機構 ,  障壁高さ ,  理想因子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： BDFO/ZnO ,  PLD ,  マルチフェロイック ,  理想因子 ,  障壁高さ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： MEMS ,  応用 ,  Au ,  ZnO ,  Si薄膜 ,  MISコンデンサ ,  電気的性質 ,  温度効果 ,  観測