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J-GLOBAL ID：201702268400436852   整理番号：17A0361464

Fe汚染されたp型多結晶Siインゴットの少数キャリア寿命の改善へのSnドーピングの影響【Powered by NICT】

Effect of Sn doping on improvement of minority carrier lifetime of Fe contaminated p-type multi-crystalline Si ingot

著者 (7件)： Sun Jifei (Key Laboratory of Novel Thin Film Solar Cells, Institute of Applied Technology, Hefei Institutes of Physical Science, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, PR China) ,  Sun Jifei (University of Science and Technology of China, Hefei 230026, PR China) ,  He Qiuxiang (Key Laboratory of Novel Thin Film Solar Cells, Institute of Applied Technology, Hefei Institutes of Physical Science, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, PR China) ,  Ban Boyuan (Key Laboratory of Novel Thin Film Solar Cells, Institute of Applied Technology, Hefei Institutes of Physical Science, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, PR China) ,  Bai Xiaolong (Key Laboratory of Novel Thin Film Solar Cells, Institute of Applied Technology, Hefei Institutes of Physical Science, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, PR China) ,  Li Jingwei (Key Laboratory of Novel Thin Film Solar Cells, Institute of Applied Technology, Hefei Institutes of Physical Science, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, PR China) ,  Chen Jian (Key Laboratory of Novel Thin Film Solar Cells, Institute of Applied Technology, Hefei Institutes of Physical Science, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, PR China)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 458  ページ： 66-71  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Fe汚染された一方向凝固したp型多結晶Siインゴットの少数キャリア寿命(MCL)の改善に及ぼすSnドーピングの影響を調べた。Siインゴットのマクロ組織と抵抗率分布はSn添加と無添加の存在しない有意な差を示した。平均MCLはそれぞれ26.2%,31.8%,8.1%20ppm,40ppm,60ppmw Snドーピング増加であった。MCLは格子間Fe,FeBの形成の減少により明らかに改善された。Snのドーピングは空孔の形成,それは格子間FeとFeBの不動態化に寄与する,を促進する。組成的過冷却の計算が行われている,それはFeは凝固界面の安定性に大きな影響を有し,Snは界面安定性にほとんど影響しないことを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 凝固 ,  *スズ ,  電気抵抗率 ,  *ポリシリコン ,  界面 ,  一方向凝固 ,  不動態化 ,  *インゴット ,  *ケイ素 ,  過冷却 ,  *少数キャリア ,  マクロ組織 ,  *鉄

著者キーワード (5件)： キーワードA1少数キャリア寿命 ,  A1ドーピング ,  A1不純物 ,  A2方向性凝固 ,  B2多結晶Si

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： Fe ,  汚染 ,  多結晶Si ,  インゴット ,  少数キャリア寿命 ,  Sn ,  ドーピング