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J-GLOBAL ID：201702270554382081   整理番号：17A0080180

低温焼結CuドープBa_0.99Ca_0.01Zr_0.02Ti_0.98O₃セラミックスの電気的特性の改善

Improved Electrical Properties of Low-Temperature Sintered Cu Doped Ba0.99Ca0.01Zr0.02Ti0.98O3 Ceramics

著者 (3件)： Zhang Yong (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, School of Materials Science and Engineering, Wuhan University of Technology, Wuhan, People’s Republic of China) ,  Sun Huajun (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, School of Materials Science and Engineering, Wuhan University of Technology, Wuhan, People’s Republic of China) ,  Chen Wen (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, School of Materials Science and Engineering, Wuhan University of Technology, Wuhan, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 45  号： 10  ページ： 5006-5016  発行年： 2016年10月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究では,一連のBa_0.99Ca_0.01Zr_0.02Ti_0.98O₃-xモル%Cu(BCZT-xCu)セラミックスを,従来の固相反応法で作製した。この材料の微細構造の形成過程と電気的特性に及ぼす焼結温度の効果を調べ,さらにCuイオンのドーピング濃度の効果も系統的に調べた。最適な焼結温度は,Cuの添加により純粋なBCZTセラミックスと比較して,200°Cほど低下する可能性を明らかにした。1250°Cで焼結したBCZT-2.0mol%Cuセラミックスで,最適な強誘電特性が得られ,高い残留分極(P_r=8.25μC/cm²)および低い抗電界(E_c=0.395kV/mm)を得た。さらに,この材料の誘電特性が高い熱安定性を示すという重要な知見も得た。比誘電率ε_rは1900から2350の範囲内にあり,30-105°Cの温度範囲内での誘電損失(tanδ)の値は1.15から2.2%の範囲内に収まった。評価したBCZT-2.0モル%Cuセラミックスは,一般的な強誘電体としての特性を示した。Copyright 2016 The Minerals, Metals & Materials Society Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *チタン酸塩 ,  *カルシウム ,  強誘電性 ,  加熱温度 ,  *圧電材料 ,  *機能性セラミック ,  ドーピング ,  金属イオン ,  銅化合物 ,  残留分極 ,  誘電分極
準シソーラス用語： *チタン酸ジルコニウム酸バリウム ,  *鉛フリー圧電セラミックス ,  化学ドーピング ,  強誘電特性 ,  焼結温度 ,  銅イオン

著者キーワード (5件)： BCZT ,  electrical properties ,  doping ,  sintering temperature ,  lead-free ceramics

分類 (2件)： 圧電デバイス  (NC03110I) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低温焼結 ,  Cu ,  ドープ ,  セラミックス ,  電気的特性