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J-GLOBAL ID：201702270720835213   整理番号：17A0470079

Niゲートにおける侵食欠陥形成AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ【Powered by NICT】

Erosion defect formation in Ni-gate AlGaN/GaN high electron mobility transistors

著者 (9件)： Whiting P.G. (Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6400, United States) ,  Holzworth M.R. (Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6400, United States) ,  Lind A.G. (Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6400, United States) ,  Pearton S.J. (Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6400, United States) ,  Jones K.S. (Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6400, United States) ,  Liu L. (Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6005, United States) ,  Kang T.S. (Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6005, United States) ,  Ren F. (Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6005, United States) ,  Xin Y. (National High Magnetic Field Lab, Florida State University, Tallahassee, FL 32310, United States)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 70  ページ： 32-40  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルミニウム窒化ガリウム/窒化ガリウムヘテロ構造に基づいた高電子移動度トランジスタ高周波および高電力応用の多種多様な選択の技術になった。現場におけるその信頼性,特に高い逆バイアス下でのゲート電極の信頼性は,進行中の問題のままである。ゲート漏れ電流の急速な増加はオフ状態ストレスを受けたデバイスで観察された。ゲート漏れ電流は,その初期増加を始めとして,走査型電子顕微鏡,走査型プローブ顕微鏡,および透過型電子顕微鏡は,Niゲートデバイスの構造への物理的変化を評価するために使用されてきた。この評価は,他の著者によって観察されたゲート下の侵食に類似した界面欠陥の形成を示した。欠陥形成は,電場および温度に依存していると思われる。透過型電子顕微鏡は,半導体とゲート金属の間に存在する界面酸窒化層に化学変化はこの欠陥の形成中に生じるように見えることを実証するために使用されてきた。ガリウムおよびアルミニウム酸化アルミニウムへのから成る混合酸窒化ゲート接触転移下の界面層。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *浸食 ,  電場 ,  窒化ガリウム ,  *HEMT ,  アルミニウム ,  透過型電子顕微鏡 ,  界面 ,  *ニッケル ,  走査電子顕微鏡 ,  界面層 ,  酸窒化 ,  ヘテロ構造 ,  *欠陥形成 ,  *窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム
準シソーラス用語： ゲート漏れ電流 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ni ,  ゲート ,  侵食 ,  欠陥形成 ,  AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ