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J-GLOBAL ID：201702270925687406   整理番号：17A0689950

III-V/Si MOSキャパシタマッハツェンダ変調器

III-V/Si MOS Capacitor Mach-Zehnder Modulator

著者 (16件)： 開達郎 (NTT 先端集積デバイス研) ,  開達郎 (NTT ナノフォトニクスセ) ,  相原卓磨 (NTT 先端集積デバイス研) ,  長谷部浩一 (NTT 先端集積デバイス研) ,  藤井拓郎 (NTT 先端集積デバイス研) ,  藤井拓郎 (NTT ナノフォトニクスセ) ,  武田浩司 (NTT 先端集積デバイス研) ,  武田浩司 (NTT ナノフォトニクスセ) ,  硴塚孝明 (NTT 先端集積デバイス研) ,  硴塚孝明 (NTT ナノフォトニクスセ) ,  土澤泰 (NTT 先端集積デバイス研) ,  土澤泰 (NTT ナノフォトニクスセ) ,  福田浩 (NTT 先端集積デバイス研) ,  福田浩 (NTT ナノフォトニクスセ) ,  松尾慎治 (NTT 先端集積デバイス研) ,  松尾慎治 (NTT ナノフォトニクスセ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 61(LQE2017 1-20)  ページ： 53-56  発行年： 2017年05月18日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では従来のSi変調器V_πL限界を突破するSi上III-V/Si MOSキャパシタマッハツェンダ変調器を報告する。素子の特長は,Siよりも電子有効質量が小さく,かつ大きなバンドフィリング効果を有するInP系材料をn型半導体として用いることでSiのキャリアプラズマ係数限界以上の屈折率変化が可能となる点である。n-InGaAsPとp-Siを用いたMOS変調器をウエハ直接接合技術により作製した結果,SiO₂絶縁膜厚10nmにおいてV_πL:0.09Vcmであった。この結果は同じ絶縁膜厚を有するSi MOS変調器のV_πLに対して約1/4であった。また,700-μm長位相シフタの素子においてNRZ25Gb/s変調に成功した。(著者抄録)

シソーラス用語： *光変調素子 ,  薄膜コンデンサ ,  移相器 ,  ケイ素

分類 (1件)： 光変調器  (BD06020W)

引用文献 (4件)：

• B. R. Bennett, et al, “Carrier-induced Change in Refractive index of InP, GaAs, and InGaAsP,” J. Quantum elec. Vol. 26, pp. 113-122, 1990.
• E. J. Murphy, et al., “Integrated optical circuits and components: design and applications,” CRC Press, 1999.
• T. Hiraki et al., “Heterogeneously Integrated InP/Si Metal-oxide-semiconductor Capacitor Mach-Zehnder Modulator,” Proc. OFC, W3E.1, 2017.
• T. Hoshii, et al., “Impact of InGaAs surface nitridation on interface properties of InGaAs metal-oxide semiconductor capacitors using electron cyclotron resonance plasma sputtering,” Appl. Phys. Lett., Vol. 97, 132102, 2010.

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  MOSキャパシタ ,  マッハツェンダ変調器