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J-GLOBAL ID：201002203064635671   整理番号：10A1012833

電子サイクロトロン共鳴プラズマスパッタリング法で堆積したSiO₂を用いたInGaAsを基本とする金属-酸化物-半導体型コンデンサーの界面特性に対するInGaAs表面の窒化の影響

Impact of InGaAs surface nitridation on interface properties of InGaAs metal-oxide-semiconductor capacitors using electron cyclotron resonance plasma sputtering SiO₂

著者 (7件)： HOSHII T. (Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  YOKOYAMA M. (Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  YAMADA H. (Sumitomo Chemical Co. Ltd., 6 Kitahara, Tsukuba, Ibaraki 300-3294, JPN) ,  HATA M. (Sumitomo Chemical Co. Ltd., 6 Kitahara, Tsukuba, Ibaraki 300-3294, JPN) ,  YASUDA T. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  TAKENAKA M. (Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  TAKAGI S. (Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 13  ページ： 132102  発行年： 2010年09月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,その場電子サイクロトロン共鳴(ECR)スパッタリング法で成膜し,アニーリングをしたSiO₂膜を組み込んだInGaAsの表面窒化によって,SiO₂/InGaAsから成るMOS型コンデンサーの界面状態密度,(D_it),が大幅に低減し,2×10¹¹cm^-2eV^-1まで低下できることを示す。MOS界面に関するx線光電子分光法(XPS)による解析から,MOS界面にはAsの酸化物は殆ど無く,窒化と引き続くアニーリングによってInGaAs表面のGa酸化物の低減が可能で,界面においてGa-Nボンドが形成されることが分かった。窒化処理のある場合と無い場合におけるC-VおよびXPSデータの比較から,Ga-Nボンドの形成がD_itの減少において,またGaの酸化物とAsの酸化物の抑制において重要な役割を果たすことが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ECRプラズマ ,  スパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  二酸化ケイ素 ,  *ヒ化物 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *薄膜コンデンサ ,  状態密度 ,  X線光電子スペクトル ,  *界面 ,  *窒化 ,  熱処理
準シソーラス用語： 電子サイクロトロン共鳴プラズマ ,  プラズマスパッタリング ,  *MOSコンデンサ

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (9件)： 電子サイクロトロン共鳴プラズマ ,  スパッタリング法 ,  堆積 ,  SiO2 ,  InGaAs ,  酸化物 ,  コンデンサー ,  界面特性 ,  窒化