p(アニリン)導電性高分子合成とその利用センサ応用のためのグラフェン酸化物埋込み超多孔性ポリ(2-ヒドロキシエチルメタクリラート)クリオゲルの使用【Powered by NICT】

Sahiner Nurettin; Sahiner Nurettin; Demirci Sahin; Demirci Sahin

文献

J-GLOBAL ID：201702272067115441 整理番号：17A0471631

p(アニリン)導電性高分子合成とその利用センサ応用のためのグラフェン酸化物埋込み超多孔性ポリ(2-ヒドロキシエチルメタクリラート)クリオゲルの使用【Powered by NICT】

The use of graphene oxide-embedded superporous poly(2-hydroxyethylmethacrylate) cryogels for p(aniline) conductive polymer synthesis and their use in sensor applications

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資料名：
巻： 120 ページ： 47-55 発行年： 2017年
JST資料番号： A0495B ISSN： 0264-1275 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

ポリ(2-ヒドロキシエチルメタクリラート)-酸化グラフェン(p(HEMA)-GO)クリオゲル複合材料はcryopolymerization中のGOを含めることにより調製した。p(HEMA)クリオゲル中のGOはヨウ化水素酸,ヒドラジン,アスコルビン酸,タンニン酸,と水素化ホウ素ナトリウムの水溶液をもつp(HEMA)-GOクリオゲル複合材料を処理することにより減少した。,p(HEMA)-r-GOクリオゲル複合材料,p(HEMA)-GOとその還元型の伝導率の変化を比較した。裸のp(HEMA),及びp(HEMA)-GOクリオゲルの電気伝導率は1.03×10~ 10±1.3×10~ 11と1.08×10~ 10±5.8×10~ 12Scm~ 1でほぼ同じであった,それぞれが,還元時に,p(HEMA)-r-GOクリオゲル複合材料の電気伝導率は4.80×10~ 7±5.9×10~ 8Scm~ 1(~4000倍増加)に増加した。さらに,p(HEMA) GO/p(An)半相互貫入高分子網目(セミIPN)としてのp(HEMA)-r-GOクリオゲル複合材料内の導電性ポリアニリン(p(An))のin situ合成により,伝導率は伝導率値1.38×10~ 4±2.5×10~ 5Scm~ 1の裸のp(HEMA)またはp(HEMA)-GOクリオゲルより250p(HEMA)-GO複合材料よりもより,および百万倍に増加した。さらに,p(HEMA)-GO複合材料とp(HEMA) GO/p(An)複合セミIPN導電性クリオゲル系はHClとNH_3ガスのためのセンサ材料として試験した。p(HEMA)-GO複合材料の電気伝導率は15分HClガス曝露に3倍に増加し,15分NH_3ガス曝露後の4倍減少した。,p(HEMA) GO/p(An)複合セミIPN導電性クリオゲル系の伝導率は2倍増加し,HClおよびNH_3ガスへの15分曝露に46倍へとそれぞれ減少した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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機械的性質 , 充填剤,補強材 , 分散強化合金

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