ボンド-パッドの問題に関する上のエッチングされた化学に及ぼすPFAにおけるレーザdeprocessing法の適用【Powered by NICT】

Yap H.H.; Tan P.K.; Zhu L.; Feng H.; Zhao Y.Z.; He R.; Tan H.; Liu B.; Huang Y.M.; Wang D.D.; Lam J.; Mai Z.H.

文献

J-GLOBAL ID：201702272446484674 整理番号：17A0362479

ボンド-パッドの問題に関する上のエッチングされた化学に及ぼすPFAにおけるレーザdeprocessing法の適用【Powered by NICT】

Application of laser deprocessing technique in PFA on chemical over-etched on bond-pad issue

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資料名：
巻： 64 ページ： 357-361 発行年： 2016年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

半導体デバイスの技術スケーリングと集積回路(IC)をさらに増加させると~11集積回路(IC)。設計と機能複雑性,パッケージサイズも比例して縮小した。,フリップチップはんだバンプ実装はワイヤボンディング技術を取り替えるための現行半導体デバイス傾向である。PFA~22物理的故障解析(PFA)に達した。はんだバンプを持つフリップチップデバイスに,はんだバンプ除去用湿式エッチは重要な方法である。湿式エッチング法,を用いてはんだバンプのための良好な除去結果を得るためにエッチングタイミングおよび化学的攻撃に非常に依存している。エッチングあるいは化学的積極的にも反応の過度の期間であれば,結合パッド上の化学オーバーエッチングが起こるであろう。FA~33故障解析(FA)に対して非常に不利である。ボンドパッドオーバーエッチング装置へのリバースエンジニアリングを実行するために操作する。本論文では,レーザデプロセシング技法の適用は,ボンドパッドオーバーエッチした問題を解決するために提案する。この提案した技術は,PFA中の欠陥同定のためのデプロセシング技法における迅速反転方法である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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固体デバイス製造技術一般 , 固体デバイス材料

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