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J-GLOBAL ID:201702272909817320   整理番号:17A0471195

炭化ケイ素ナノチューブの光ルミネセンスに及ぼす表面処理の影響【Powered by NICT】

Effect of surface treatment on photoluminescence of silicon carbide nanotubes
著者 (5件):
資料名:
巻: 403  ページ: 308-313  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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SiCナノチューブはSi粉末と多層カーボンナノチューブ(MWCNTs)の反応により合成した。ナノチューブと未反応MWCNTの残りの元素状炭素を除去するために,熱処理を種々の温度で空気中で行った。本研究で評価した特性化は,空気中での熱処理後のSiCナノチューブであった。アルカリおよび酸処理なしのSiCナノチューブの光ルミネセンス(PL)スペクトルを室温顕微分光法で評価した。700°Cで処理したSiCナノチューブ熱のPLスペクトルは約2.5eV主ピークから成り,明確なピークは800と900°Cで熱処理したもののPLスペクトルでは観察されなかった。理由はSiO_2層はSiCナノチューブの表面上に生成したことであると信じられている。NaOHに続いてHCl溶液による処理は,熱処理後SiO_2層を除去するために行った。結果はNaOH-HCl処理後出現した強いPLバンドを示した。これらの結果から,SiCナノチューブのPLバンドは,表面状態と表面欠陥と密接に関連していると結論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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半導体のルミネセンス  ,  酸化物薄膜 
タイトルに関連する用語 (4件):
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