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J-GLOBAL ID：201702272913034079   整理番号：17A0547486

規則配列GaNナノコラム上へのInGaN:Eu/GaN量子井戸の形成

著者 (9件)： 関口寛人 (豊橋技科大 工) ,  今西智彦 (豊橋技科大 工) ,  伊達浩平 (豊橋技科大 工) ,  立石紘己 (豊橋技科大 工) ,  山根啓輔 (豊橋技科大 工) ,  岡田浩 (EIIRIS) ,  岡田浩 (豊橋技科大 工) ,  岸野克巳 (上智大 理工) ,  若原昭浩 (豊橋技科大 工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.14a-503-6  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *窒化インジウム ,  量子井戸 ,  ユウロピウム ,  内殻準位 ,  発光 ,  ナノ構造 ,  柱状晶
準シソーラス用語： ナノコラム

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 規則配列 ,  GaN ,  ナノコラム ,  InGaN ,  Eu ,  量子井戸