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J-GLOBAL ID：201702274589316324   整理番号：17A0322312

反応性高周波マグネトロンスパッタリングによるSrTiO_3(100)基板上に成長させたLa_0 1.55Sr_0 0.08Mn_0 37O_3エピタキシャル膜におけるCurie温度と相転移に及ぼす焼なましの影響【Powered by NICT】

Effect of annealing on Curie temperature and phase transition in La_0.55Sr_0.08Mn_0.37O₃ epitaxial films grown on SrTiO₃ (100) substrates by reactive radio frequency magnetron sputtering

著者 (10件)： Ichinose T. (Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan) ,  Naganuma H. (Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan) ,  Naganuma H. (Unite Mixte de Physique, CNRS, Thales, Univ. Paris-Sud, Universite Paris-Saclay, 91767 Palaiseau, France) ,  Miyazaki T. (Department of Instrumental Analysis, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan) ,  Oogane M. (Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan) ,  Ando Y. (Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan) ,  Ueno T. (Photon Factory and Condensed Matter Research Center, Institute of Materials Structure Science, High Energy Accelerator Research Organization, Tsukuba 305-0801, Japan) ,  Ueno T. (National Institute for Materials Science, Tsukuba 305-0047, Japan) ,  Inami N. (Photon Factory and Condensed Matter Research Center, Institute of Materials Structure Science, High Energy Accelerator Research Organization, Tsukuba 305-0801, Japan) ,  Ono K. (Photon Factory and Condensed Matter Research Center, Institute of Materials Structure Science, High Energy Accelerator Research Organization, Tsukuba 305-0801, Japan)
資料名： Materials Characterization  (Materials Characterization)
巻： 118  ページ： 37-43  発行年： 2016年 
JST資料番号： D0448C  ISSN： 1044-5803  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MnプアLaSrMnO_3(LSMO)エピタキシャル膜は,アルゴンと酸素の混合ガス中での高周波マグネトロンスパッタリングによりSrTiO_3(100)基板上に成長させ,その後,試料を種々の温度(T)で空気中でアニールした。2シータカイX線回折マッピング,透過型電子顕微鏡によるナノビーム回折分析,および走査電子顕微鏡を通した電子後方散乱回折はLSMO膜の結晶対称性は空気中での焼なましの単斜晶/斜方晶から菱面体晶へのことを明らかにした。LSMO膜のキューリー温度(T)は,T aの増加と共に増加し,T a≧861°Cで室温よりも高くなる,これらの変化の原因は,酸素の充填と結晶対称性菱面体晶への転移であることを示していることが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 混合気体 ,  *エピタクシー ,  *焼なまし ,  単斜晶系 ,  *スパッタリング ,  走査電子顕微鏡 ,  アルゴン ,  斜方晶系 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *Curie温度 ,  酸素 ,  三方晶系
準シソーラス用語： 結晶対称性 ,  *エピタキシャル膜 ,  *RFマグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： LSMO ,  Mn不良 ,  Currie温度 ,  スパッタリング ,  エピタキシャル ,  単斜晶系 ,  菱面体晶

分類 (3件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  金属材料へのセラミック被覆  (YC02050V) ,  変態組織,加工組織  (WB01030N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 反応性 ,  高周波マグネトロンスパッタリング ,  成長 ,  エピタキシャル膜 ,  Curie温度 ,  相転移 ,  焼なまし