文献

J-GLOBAL ID：201702274719239956   整理番号：17A0080202

Na_0.5Nd_0.2Sm_0.3Ti_1-xZr_xO₃セラミックス(x=0.00~0.30)のマイクロ波誘電特性に及ぼすZr置換の影響

Effects of Zr-Substitution on Microwave Dielectric Properties of Na0.5Nd0.2Sm0.3Ti1-x Zr x O3 Ceramics (x = 0.00 ~ 0.30)

著者 (10件)： Fang Zixuan (National Engineering Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, People’s Republic of China) ,  Fang Zixuan (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, People’s Republic of China) ,  Tang Bin (National Engineering Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, People’s Republic of China) ,  Tang Bin (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, People’s Republic of China) ,  Si Feng (National Engineering Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, People’s Republic of China) ,  Si Feng (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, People’s Republic of China) ,  Gong Yuting (National Engineering Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, People’s Republic of China) ,  Gong Yuting (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, People’s Republic of China) ,  Zhang Shuren (National Engineering Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, People’s Republic of China) ,  Zhang Shuren (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 45  号： 10  ページ： 5198-5205  発行年： 2016年10月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,従来の固相工順により,化合物Na_0.5Nd_0.2Sm_0.3Ti_1-xZr_xO₃(NNSTZx,x=0.00,0.01,0.02,0.05,0.09,0.14,0.20,0.30)セラミックを調製した。すべてのNNSTZx試料の主相に,斜方晶ペロブスカイト構造としてインデクスを付けた。相対密度の向上とZr添加量が少ない(x≦0.02)均質微細構造のため,誘電率(ε_r)とQ値(Q×f)が向上した。x≦0.14の場合であれば,許容因子が連続的に減少するため,共振周波数の温度係数(τ_f)が110.3ppm/°Cの比較的低い値に効果的に調整できることができた。x≧0.20で一定量のNd₂Ti₂O₇相が観察されたので,110.3ppm/°Cから-2.38ppm/°Cへの顕著なτ_fの減少を得た。通常は,1450°Cの空気中で2時間焼結したNNSTZx(x=0.20)セラミックは,ε_r=75.4,Q×f=6813GHz,τ_f=67.8ppm/°Cの良好なマイクロ波誘電特性を示した。Copyright 2016 The Minerals, Metals & Materials Society Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *誘電性 ,  置換 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  *ジルコニウム ,  共振周波数 ,  温度係数 ,  *セラミック
準シソーラス用語： *マイクロ波誘電特性 ,  ペロブスカイト構造

著者キーワード (5件)： High permittivity ,  dielectrics ,  microwave ceramics ,  temperature coefficient of the resonant frequency ,  perovskite

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (4件)： セラミックス ,  マイクロ波誘電特性 ,  Zr ,  置換