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J-GLOBAL ID：201702275106980330   整理番号：17A0214349

サブ7nm技術ノードのための室温中性ビーム酸化による高性能相補GeピーキングFinFET【Powered by NICT】

High performance complementary Ge peaking FinFETs by room temperature neutral beam oxidation for sub-7 nm technology node applications

著者 (30件)： Lee Y.-J. (National Nano Device Laboratories, Hsinchu, Taiwan) ,  Hong T.-C. (Dept. of Electrophysics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Hsueh F.-K. (National Nano Device Laboratories, Hsinchu, Taiwan) ,  Sung P.-J. (National Nano Device Laboratories, Hsinchu, Taiwan) ,  Chen C.-Y. (Dept. of Electrical and Computer Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Chuang S.-S. (Dept. of Electronics Engineering & Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Cho T.-C. (Dept. of Electrophysics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Noda S. (Institute of Fluid Science, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Tsou Y.-C. (Dept. of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan) ,  Kao K.-H. (Dept. of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan) ,  Wu C.-T. (National Nano Device Laboratories, Hsinchu, Taiwan) ,  Yu T.-Y. (National Nano Device Laboratories, Hsinchu, Taiwan) ,  Jian Y.-L. (National Nano Device Laboratories, Hsinchu, Taiwan) ,  Su C.-J. (National Nano Device Laboratories, Hsinchu, Taiwan) ,  Huang Y.-M. (National Nano Device Laboratories, Hsinchu, Taiwan) ,  Huang W.-H. (National Nano Device Laboratories, Hsinchu, Taiwan) ,  Chen B.-Y. (National Nano Device Laboratories, Hsinchu, Taiwan) ,  Chen M.-C. (National Nano Device Laboratories, Hsinchu, Taiwan) ,  Huang K.-P. (Mechanical and Systems Research Laboratories, Industrial Technology Research Institute, Hsinchu, Taiwan) ,  Li J.-Y. (Dept. of Electrical Engineering and Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Chen M.-J. (Dept. of Materials Science and Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Li Y. (Dept. of Electrical and Computer Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Samukawa S. (Institute of Fluid Science, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Wu W.-F. (National Nano Device Laboratories, Hsinchu, Taiwan) ,  Huang G.-W. (National Nano Device Laboratories, Hsinchu, Taiwan) ,  Shieh J.-M. (National Nano Device Laboratories, Hsinchu, Taiwan) ,  Tseng T.-Y. (Dept. of Electrophysics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Chao T.-S. (Dept. of Electrophysics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Wang Y.-H. (Dept. of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan) ,  Yeh W.-K. (National Nano Device Laboratories, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 33.5.1-33.5.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GeピークnおよびpFinFETは中性ビームエッチング(NBE)と異方性中性ビーム酸化(NBO)過程を採用することにより実証した。照射自由NBプロセスは表面粗さを抑制するだけでなく,エッチしたGe表面上の低欠陥発生を保証する。作製したGeピークFinFETはいくつかのユニークな特徴を持っている(1)室温での異方性NBOプロセスにより形成した6nmトップゲートとピークフィン配置。(2)はNBプロセスによる三次元チャネル表面を欠陥。(3)従来の誘導結合プラズマエッチング(ICP)によるものと比較して,NBプロセスによるイオンとGm改善。Ge FinFETの(4)記録された高いIon/Ioff比と低サブ閾値スイング(S.S.~70mV/dec.)。(5)Ge FinFETの短チャネル効果のための優れた免疫。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 異方性 ,  電磁結合 ,  酸化 ,  短チャネル効果 ,  プラズマエッチング ,  三次元 ,  イオン ,  エッチング ,  チャネル ,  *中性粒子ビーム ,  *ビーム
準シソーラス用語： サブ閾値スイング ,  トップゲート ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： サブ ,  ノード ,  室温 ,  中性ビーム ,  酸化 ,  Ge ,  FinFET