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J-GLOBAL ID：201702277304370701   整理番号：17A0400534

バルクFinFETにおけるホットキャリア注入ストレス誘起劣化に及ぼすフィン数の影響【Powered by NICT】

Influence of fin number on hot-carrier injection stress induced degradation in bulk FinFETs

著者 (11件)： Zhang Wenqi (Department of Electrical Engineering, National University of Kaohsiung, Kaohsiung 811, Taiwan, ROC) ,  Wang Tzuo-Li (Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University, Kaohsiung 824, Taiwan, ROC) ,  Huang Yan-Hua (Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University, Kaohsiung 824, Taiwan, ROC) ,  Cheng Tsu-Ting (Department of Electrical Engineering, National University of Kaohsiung, Kaohsiung 811, Taiwan, ROC) ,  Chen Shih-Yao (Department of Electrical Engineering, National University of Kaohsiung, Kaohsiung 811, Taiwan, ROC) ,  Li Yi-Ying (Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University, Kaohsiung 824, Taiwan, ROC) ,  Hsu Chun-Hsiang (Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University, Kaohsiung 824, Taiwan, ROC) ,  Lai Chih-Jui (Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University, Kaohsiung 824, Taiwan, ROC) ,  Yeh Wen-Kuan (Department of Electrical Engineering, National University of Kaohsiung, Kaohsiung 811, Taiwan, ROC) ,  Yeh Wen-Kuan (National Nano Device Laboratories (NDL), National Applied Research Laboratories, Hsinchu 300, Taiwan, ROC) ,  Yang Yi-Lin (Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University, Kaohsiung 824, Taiwan, ROC)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 67  ページ： 89-93  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ホットキャリア注入(H CI)ストレスは,異なるフィン数をもつnチャネルFinFETデバイスの信頼性を調べた。しきい値電圧(V_TH)シフト,サブスレショルド係数およびトランスコンダクタンスの変化は,ストレス下でのデバイスの劣化を評価した。より少ないフィンをもつFinFET素子はホットキャリア注入ストレスによるより大きな性能劣化を示した。隣接フィン間の結合効果の存在はマルチフィンデバイス,単一フィンデバイスよりも良好な信頼性を引き起こすにおける反転電荷密度と等価電場を減少させることが示唆された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 信頼性 ,  *ホットキャリア ,  *フィン ,  電場 ,  チャネル ,  相互コンダクタンス
準シソーラス用語： 電荷密度 ,  性能劣化 ,  サブ閾値 ,  閾値電圧 ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ホットキャリア注入 ,  FinFET ,  マルチフィン構造 ,  結合効果

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： バルク ,  FinFET ,  キャリア注入 ,  ストレス ,  誘起 ,  フィン