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J-GLOBAL ID：201702279878781681   整理番号：17A0214269

p型In_0 65Ga_0 35GaAs_0.4Sb_0 6とGe-0.93Sn_0 0.07ヘテロ接合トンネルFETの性能ベンチマーキング【Powered by NICT】

Performance benchmarking of p-type In_0.65Ga_0.35As/GaAs_0.4Sb_0.6 and Ge/Ge_0.93Sn_0.07 hetero-junction tunnel FETs

著者 (18件)： Pandey R. (The Pennsylvania State University, University Park, PA-16802, USA) ,  Schulte-Braucks C. (Peter Gruenberg Institute (PGI-9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich GmbH, 52425 Juelich, Germany) ,  Sajjad R. N. (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA-02139) ,  Barth M. (The Pennsylvania State University, University Park, PA-16802, USA) ,  Ghosh R. K. (University of Notre Dame, Notre Dame, IN, 46556, USA) ,  Grisafe B. (University of Notre Dame, Notre Dame, IN, 46556, USA) ,  Sharma P. (University of Notre Dame, Notre Dame, IN, 46556, USA) ,  von den Driesch N. (Peter Gruenberg Institute (PGI-9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich GmbH, 52425 Juelich, Germany) ,  Vohra A. (IMEC, Kapeldreef 75, Leuven B-3001, Belgium) ,  Rayner B. (Kurt J. Lesker Company, Pittsburgh, PA, USA) ,  Loo R. (IMEC, Kapeldreef 75, Leuven B-3001, Belgium) ,  Mantl S. (Peter Gruenberg Institute (PGI-9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich GmbH, 52425 Juelich, Germany) ,  Buca D. (Peter Gruenberg Institute (PGI-9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich GmbH, 52425 Juelich, Germany) ,  Yeh C-C. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Hsinchu, Taiwan) ,  Wu C-H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Hsinchu, Taiwan) ,  Tsai W. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Hsinchu, Taiwan) ,  Antoniadis D. (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA-02139) ,  Datta S. (University of Notre Dame, Notre Dame, IN, 46556, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 19.6.1-19.6.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： IV族(Ge/Ge_0.93Sn_0 0.07)半導体ヘテロ接合に対するIII-V族(In_0 0.65Ga_0 0.35GaAs_0.4SW_0,6)を比較したpチャネルTFET(PTFETs)の性能を実証し,ベンチマークした。これは両GaAs_0 4Sb_0とGe_0 0.88Sn_0 12チャンネルに対する最大蓄積容量密度(≧3μF/cm~2)を達成する非常にスケーリングされた誘電体を用いたゲートスタック工学を介した可能とした。第一原理密度汎関数理論(DFT)と組み合わせた温度および電場依存I-V測定は,修正Shockley-Read-Hall形式に基づくバンド構造計算と解析モデリングに基づく,バンド-バンドトンネルとトラップ支援トンネリング(TAT)からのキャリア輸送への寄与を定量化するために用いた。GeSn基づくPTFETsはバンドギャップ工学(より高いI_on)と減少したフォノン支援TAT電流(低いD_it)からIn_0 0.65Ga_0 0.35GaAs_0.4Sb_0 6PTFETs益するより性能が優れていることが分かった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： モデリング ,  ベンチマーク ,  密度汎関数法 ,  トンネル効果 ,  誘電体 ,  電場 ,  バンド構造 ,  チャネル ,  第一原理 ,  *ヘテロ接合
準シソーラス用語： キャリア輸送 ,  ゲートスタック ,  *ベンチマーキング ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (9件)： 高分子固体の物性一般  (CG02021V) ,  反応操作(単位反応)  (XE01040I) ,  置換反応  (CF02020B) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  熱化学  (CB02040L) ,  ガス化,ガス化プラント  (YE02040Q) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  電極電位,起電力  (CB07020Y) ,  電池一般  (YB04010O)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ge ,  ヘテロ接合 ,  トンネルFET ,  ベンチマーキング