文献

J-GLOBAL ID：201702279982447336   整理番号：17A0057826

Si基板上のIII-Vに対する絶縁体トランジスタのための高速エピタキシャルリフトオフ【Powered by NICT】

High-speed epitaxial lift-off for III-V-on-insulator transistors on Si substrates

著者 (6件)： Kim SangHyeon (Center for Opto-Electronic Materials and Devices, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Korea) ,  Geum Dae-Myeong (Center for Opto-Electronic Materials and Devices, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Korea) ,  Kim Seong Kwang (Center for Opto-Electronic Materials and Devices, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Korea) ,  Kim Hyung-jun (Center for Opto-Electronic Materials and Devices, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Korea) ,  Song Jin Dong (Center for Opto-Electronic Materials and Devices, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Korea) ,  Choi Won Jun (Center for Opto-Electronic Materials and Devices, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： S3S  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄体III-V-on-insulator(III-VOI)構造はCMOS技術における将来のノードトランジスタのための有望なデバイス構造である。典型的には,直接ウエハボンディング(DWB)はSi基板[1-3]にIII-V OIを作製した。ドナーウエハは[1+2]エッチングまたは水素注入[3]により分離した。しかし,前者は非常に費用がかかり,後者はチャネル層中の残留欠陥を誘導することができる。III V OIを製造するための費用効果的で非破壊的技術がより重要になる。一方,二間に位置する犠牲層の選択的エッチングによるドナーウエハと素子の活性層を分割する,エピタキシャルリフトオフ(ELO)は[5]低コストと欠陥問題の二要求を満たすためにかなり有望である。しかし,図で示されたように,従来のELOは,全ウエハ上の薄い犠牲層をエッチングするために長い処理時間を必要とする。1。本研究では,前パターン形成と表面親水化による高速ELO技術を開発し,GaAs OIトランジスタの概念デバイスを作製した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 素子構造 ,  ヒ化ガリウム ,  *トランジスタ ,  加工時間 ,  *高速度 ,  パターン形成 ,  エッチング ,  活性層 ,  チャネル ,  *絶縁材料 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： 犠牲層 ,  費用対効果 ,  ウエハボンディング ,  CMOS技術 ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si基板 ,  絶縁体 ,  トランジスタ ,  エピタキシャルリフトオフ