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J-GLOBAL ID：201702281263006044   整理番号：17A0471255

(サブ)表面欠陥に及ぼすSiウエハ薄化過程の影響【Powered by NICT】

Influence of Si wafer thinning processes on (sub)surface defects

著者 (10件)： Inoue Fumihiro (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Jourdain Anne (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Peng Lan (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Phommahaxay Alain (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  De Vos Joeri (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Rebibis Kenneth June (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Miller Andy (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Sleeckx Erik (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Beyne Eric (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Uedono Akira (Division of Applied Physics, Faculty of Pure and Applied Science, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 404  ページ： 82-87  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最小Si厚さのウエハ間三次元(3D)集積は有意にスケール垂直相互接続と相互作用する複数のデバイスを作ることができる。が,このような薄い3D構造を実現する薄化過程後に残った背面Siの表面及び表面下に決定的に依存する。機械的粉砕後のSi(サブ)表面は既にμmの数十の範囲で効果的に特性化した。,誘電体接着ウエハの薄層化プロセス後の5μm厚Si(亜)表面のキャラクタリゼーションを拡張した。表面下欠陥と損傷層は,研削,化学機械研磨(CMP),湿式エッチングとプラズマドライエッチング後に調べた。(サブ)表面欠陥は,透過型電子顕微鏡,原子間力顕微鏡,および陽電子消滅分光法を用いて特性化した。研削はSiの最速除去速度を提供するが,表面粗さは,その後の処理に適合しなかった。さらに,転位と非晶質Siのような機械的損傷はSi膜厚と薄いウエハハンドリングシステムにかかわらず低減できない。研削後のCMPはこの研削損傷を除去するための優れた性能を示し,除去量は1μmである。研削とCMPを用いた5μmに対するSi薄化の場合には,(サブ)表面は空孔のない粗さの原子スケールである。研削+ドライエッチングの場合には,空孔欠陥は約0.5 2μm表面下で検出された。湿式エッチング後の仕上げ面は歪領域におけるnmスケールのままであった。研削とドライエッチングの間にCMPステップを挿入することにより,粗さだけでなく,表面下で残りの空格子点を大幅に低減することが可能である。研削+CMP+ドライエッチングの表面は研削+CMPのそれに等価モノ空格子点結果を与える。薄化過程のこの組み合わせは,最小の粗さと空孔表面と非常に薄い3D集積デバイスの開発を可能にする。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 化学機械研磨 ,  *ケイ素 ,  三次元 ,  ウェットエッチング ,  相互接続 ,  透過型電子顕微鏡 ,  キャラクタリゼーション ,  *表面欠陥 ,  アモルファスシリコン ,  研削 ,  ドライエッチング ,  原子間力顕微鏡 ,  膜厚
準シソーラス用語： 除去速度 ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Si薄層化 ,  研削 ,  ウエハウエハへ ,  3D集積化 ,  誘電結合 ,  表面下の損傷

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： サブ ,  表面欠陥 ,  Siウエハ ,  過程