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J-GLOBAL ID：201702281422437803   整理番号：17A0705496

強化されたホルムアルデヒド検出性能のためのSnドーピングによるp型3DOM NiOの電子補償【Powered by NICT】

Electron compensation in p-type 3DOM NiO by Sn doping for enhanced formaldehyde sensing performance

著者 (4件)： Wang Zhihua (State Key Laboratory of Chemical Resource Engineering, Beijing University of Chemical Technology, Beijing 100029, China. [e-mail]) ,  Zhou Heng ,  Han Dongmei ,  Gu Fubo
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 13  ページ： 3254-3263  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホルムアルデヒドは,一般的な大気汚染物質である。本論文では,高い応答とホルムアルデヒドセンサはSnをドープした三次元規則性マクロポーラス(3DOM)NiOに基づいて作製した。ホルムアルデヒドに対するSnドープ3DOM NiOのセンシング性能を研究し,可能なセンシング機構を提案した。結果は,SnドーピングはNiOのガスセンシング特性を効果的に改善できることを示した。10at%Snをドープした3DOM NiOは225°Cで100ppmのホルムアルデヒドに対する最高の応答(~145)を示し,これは純粋なもののそれよりも約85倍高かった。ドーピング濃度の増加と共に,試料の表面積は徐々に増加し,それはガス吸着のためのより多くの活性サイトを提供し,センシング応答を高めることができる。さらに,ホルムアルデヒドへの応答の著しい改善は,電子補償機構で説明できた。自由電子はNi~2+サイト,NiOにおける正孔濃度を減少させるへのSn~4+の置換を補償するために生成した。添加では,自由電子は吸着酸素の生成,ホルムアルデヒド検知性能の向上に有益に寄与する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 表面積 ,  規則度 ,  大気汚染物質 ,  吸着 ,  活性部位 ,  *ドーピング ,  酸素 ,  *スズ ,  三次元 ,  脂肪族アルデヒド
準シソーラス用語： 正孔濃度 ,  自由電子 ,  ガス吸着 ,  感知機構 ,  マクロポーラス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  電気化学一般  (CB07010N)

物質索引 (1件)： ホルムアルデヒド

タイトルに関連する用語 (7件)： 強化 ,  ホルムアルデヒド ,  検出性能 ,  Sn ,  ドーピング ,  電子 ,  補償