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J-GLOBAL ID：201702281879399214   整理番号：17A0550946

Si基板上格子整合系GaAsPN p-i-n接合の電気的特性評価

著者 (7件)： 高橋賢二郎 (豊橋技科大 大学院) ,  山根啓輔 (豊橋技科大 大学院) ,  佐藤健人 (豊橋技科大 大学院) ,  後藤聖也 (豊橋技科大 大学院) ,  関口寛人 (豊橋技科大 大学院) ,  岡田浩 (豊橋技科大 EIIRIS) ,  若原昭浩 (豊橋技科大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.17a-B5-2  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  ガリウム化合物 ,  ヒ化物 ,  リン化物 ,  窒化ガリウム ,  *格子整合 ,  *化合物半導体 ,  *素子構造 ,  *電気的性質 ,  化学組成 ,  p-i-n素子構造 ,  ヒ化リン化ガリウム ,  III-V半導体
準シソーラス用語： GaAsP ,  GaN ,  III-V族化合物半導体

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si基板 ,  格子整合 ,  電気的特性 ,  評価