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J-GLOBAL ID：201702282705405364   整理番号：17A0386059

ArリッチなAlGaNの誘導結合型BCl₃/Cl₂/Arプラズマエッチング

Inductively coupled BCl₃/Cl₂/Ar plasma etching of Al-rich AlGaN

著者 (5件)： Douglas Erica A. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185) ,  Sanchez Carlos A. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185) ,  Kaplar Robert J. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185) ,  Allerman Andrew A. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185) ,  Baca Albert G. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 35  号： 2  ページ： 021305-021305-5  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化合物半導体の原子比率を変化させるとエッチング特性に大きな影響を及ぼすことがよく知られている。薄い素子保護層(~25nm)の使用によりエッチ速度と表面形状の正確な制御が必要となり,製造の複雑さが増している。Al組成の高いAlGaNの誘導結合型プラズマエッチングでのバイアス電力およびBCl₃/Cl₂のガス比率の影響を,エッチ速度,選択性,表面形状に関してAlNと比較した。エッチ速度はバイアス電力とガス組成の双方に大きく依存した。AlGaNに関しAl組成の微小な変化の効果を詳細に調べ,AlNに比べてバイアス電力によるエッチ速度の変化が大きいことを示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *プラズマエッチング ,  *窒化物 ,  *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  化合物半導体 ,  *塩化ホウ素 ,  *塩素 ,  形態 ,  混合気体 ,  選択性 ,  化学組成 ,  加工速度 ,  電力
準シソーラス用語： エッチ速度 ,  バイアス電力 ,  表面形状

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ar ,  AlGaN ,  誘導結合 ,  プラズマエッチング