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J-GLOBAL ID：201702283024057083   整理番号：17A0025956

エッチスットップ層を通してのドライエッチング損傷により生ずるIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタにおける電界効果移動度の異常増加

Anomalous Increase in Field-Effect Mobility in In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors Caused by Dry-Etching Damage Through Etch-Stop Layer

著者 (5件)： Koretomo Daichi (School of Environmental Science and Engineering, Center for Nanotechnology in Research Institute, Kochi University of Technology, Kami, Japan) ,  Toda Tatsuya (School of Environmental Science and Engineering, Center for Nanotechnology in Research Institute, Kochi University of Technology, Kami, Japan) ,  Matsuda Tokiyoshi (Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University, Otsu, Japan) ,  Kimura Mutsumi (Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University, Otsu, Japan) ,  Furuta Mamoru (School of Environmental Science and Engineering, Center for Nanotechnology in Research Institute, Kochi University of Technology, Kami, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63  号： 7  ページ： 2785-2789  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エッチストップ層(ESL)の厚さを変えることにより,ボトムゲートIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタ(TFT)の電気的特性に及ぼすソース/ドレイン(S/D)電極エッチングプロセス中のドライエッチング(D/E)損傷の影響を調査した。200nmの厚いESLに対して,ドライおよびウエットエッチングにより形成されたS/D電極を有するTFTの電気的特性は同等であった。しかし,薄いESL層を有するS/D-D/EプロセスによるTFTから,電界効果移動度(μ_FE)の異常な増加が観察された。実験およびデバイスシミュレーションの結果は,チャネル中の電流の流線と有効チャネル長が,ESLを通してのS/D-D/E損傷により誘起された,バックチャネル領域で形成される低抵抗領域のキャリア密度により強く影響されることを明らかにした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *ドライエッチング ,  *停止 ,  *ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化インジウム ,  *薄膜トランジスタ ,  *キャリア移動度 ,  *電場効果 ,  層厚 ,  *照射損傷 ,  *ウェットエッチング ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  *半導体プロセス ,  実験 ,  計算機シミュレーション ,  チャネル ,  長さ ,  キャリア密度 ,  電流密度 ,  基板 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： *エッチスットップ層 ,  *IGZO【半導体】 ,  電界効果移動度 ,  デバイスシミュレーション ,  チャネル長 ,  III-V半導体 ,  ワイドバンドギャップ半導体

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドライエッチング ,  損傷 ,  In-Ga-Zn-O ,  薄膜トランジスタ ,  電界効果移動度