PbSコロイド量子ドット太陽電池の電子輸送層としてのゾル-ゲル合成Zn<sub>1-x</sub>Mg<sub>x</sub>O薄膜のバンドギャップ操作

DING Chao; DING Chao; ZHANG Yaohong; HAYASE Shuzi; HAYASE Shuzi; OGOMI Yuhei; TOYODA Taro; TOYODA Taro; YOSHINO K.; YOSHINO K.; MINEMOTO T.; MINEMOTO T.; SHEN Qing; SHEN Qing

文献

J-GLOBAL ID：201702285036723221 整理番号：17A0547922

PbSコロイド量子ドット太陽電池の電子輸送層としてのゾル-ゲル合成Zn_1-xMg_xO薄膜のバンドギャップ操作

Bandgap Engineering of Sol-Gel Synthesized Zn_1-xMg_xO films as Electron-Transporting Layers for PbS Colloidal Quantum Dot Solar Cells

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資料名：
巻： 64th ページ： ROMBUNNO.14p-B6-1 発行年： 2017年03月01日
JST資料番号： Y0054B ISSN： 2436-7613 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

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太陽電池

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PbSコロイド量子ドット太陽電池の電子輸送層としてのゾル-ゲル合成Zn1-xMgxO薄膜のバンドギャップ操作

PbSコロイド量子ドット太陽電池の電子輸送層としてのゾル-ゲル合成Zn_1-xMg_xO薄膜のバンドギャップ操作