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J-GLOBAL ID：201702285608199322   整理番号：17A0067742

WバンドGANシングルチップ電力増幅器の開発【JST・京大機械翻訳】

Fabrication of W-band GaN MMIC PA

著者 (4件)： Wu Shaobing (Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Gao Jianfeng (Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Wang Weibo (Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Zhang Junyun (Nanjing Electronic Devices Institute)
資料名： Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan  (Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan)
巻： 36  号： 4  ページ： 266-269  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2084A  ISSN： 1000-3819  CODEN： GDYJE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： WバンドGAN三段増幅回路の開発結果を報告した。ALGAN/GAN HEMTのエピタキシャル構造に電子ビームリソグラフィー法を用いて100NMの「T」形構造を作製した。最大電流密度は1.3V/MMであり,最大相互コンダクタンスは430MM/MMであった。F_TとF_(MAX)は,それぞれ90GHZと210GHZであった。この装置を用いて,三次増幅器を設計し,75~110GHZの周波数範囲で21DBの最大信号利得を得た。90GHZでの最大出力は1.117W,PAEは13%,電力利得は11DB,出力密度は2.33W/MMであった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 周波数 ,  電子ビームリソグラフィー ,  利得 ,  *増幅器 ,  電流密度 ,  HEMT ,  相互コンダクタンス ,  *電力増幅器 ,  エピタクシー
準シソーラス用語： 出力密度 ,  パワーゲイン ,  最大出力 ,  *Wバンド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaN high electron mobility transistor(HEMT) ,  W-band ,  electron-beam lithography ,  power amplifier

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： Wバンド ,  GaN ,  電力増幅器 ,  開発