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J-GLOBAL ID：201702285970988071   整理番号：17A0214284

モノリシック光電子集積化のための透明基板上の核生成制御されたGeSn成長を利用した高移動度TFTと増強されたルミネセンス【Powered by NICT】

High-mobility TFT and enhanced luminescence utilizing nucleation-controlled GeSn growth on transparent substrate for monolithic optoelectronic integration

著者 (9件)： Oka H. (Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka, Japan) ,  Koyama M. (Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka, Japan) ,  Tomita T. (Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka, Japan) ,  Amamoto T. (Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka, Japan) ,  Tominaga K. (Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka, Japan) ,  Tanaka S. (Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka, Japan) ,  Hosoi T. (Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka, Japan) ,  Shimura T. (Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka, Japan) ,  Watanabe H. (Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 22.1.1-22.1.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 記録-高移動度GeベースTFT(μfe: 423 cm~2/Vs)および近赤外(NIR)ルミネッセンスの著しい増強(×54Geバルク)は新しい液相結晶化法により成長させた透明基板上の単結晶GeSn層を示した。GeSn成長方式は,従来のCMOSプロセスと完全に互換であり,高品質引張歪p型およびn型GeSn層を提供し,広い波長範囲で光学通信のみならず,NIRイメージングと生化学的センシングのための利用可能なモノリシック光電子集積化のための道を開くことができる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 波長 ,  近赤外線 ,  *核形成 ,  通信 ,  液相 ,  画像処理 ,  結晶化 ,  *ルミネセンス ,  生化学 ,  単結晶 ,  *光電子
準シソーラス用語： 引張歪 ,  高品質 ,  CMOSプロセス ,  *高移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (9件)： 光電子 ,  集積化 ,  透明基板 ,  核生成 ,  成長 ,  高移動度 ,  TFT ,  増強 ,  ルミネセンス