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J-GLOBAL ID：201702286109929736   整理番号：17A0375020

III-N量子ドットを用いた紫外発光ダイオード【Powered by NICT】

Ultraviolet light emitting diodes using III-N quantum dots

著者 (14件)： Brault Julien (CNRS-Centre de Recherche sur l’Hetero-Epitaxie et ses Applications, Rue B. Gregory, 06560 Valbonne, France) ,  Matta Samuel (CNRS-Centre de Recherche sur l’Hetero-Epitaxie et ses Applications, Rue B. Gregory, 06560 Valbonne, France) ,  Matta Samuel (CNRS-Universite Montpellier 2, Laboratoire Charles Coulomb and Universite Montpellier 2, UMR 5221, 34095 Montpellier, France) ,  Ngo Thi-Huong (CNRS-Universite Montpellier 2, Laboratoire Charles Coulomb and Universite Montpellier 2, UMR 5221, 34095 Montpellier, France) ,  Rosales Daniel (CNRS-Universite Montpellier 2, Laboratoire Charles Coulomb and Universite Montpellier 2, UMR 5221, 34095 Montpellier, France) ,  Leroux Mathieu (CNRS-Centre de Recherche sur l’Hetero-Epitaxie et ses Applications, Rue B. Gregory, 06560 Valbonne, France) ,  Damilano Benjamin (CNRS-Centre de Recherche sur l’Hetero-Epitaxie et ses Applications, Rue B. Gregory, 06560 Valbonne, France) ,  Khalfioui Mohamed Al (CNRS-Centre de Recherche sur l’Hetero-Epitaxie et ses Applications, Rue B. Gregory, 06560 Valbonne, France) ,  Khalfioui Mohamed Al (Universite de Nice Sophia-Antipolis, 06103 Nice, France) ,  Tendille Florian (CNRS-Centre de Recherche sur l’Hetero-Epitaxie et ses Applications, Rue B. Gregory, 06560 Valbonne, France) ,  Chenot Sebastien (CNRS-Centre de Recherche sur l’Hetero-Epitaxie et ses Applications, Rue B. Gregory, 06560 Valbonne, France) ,  De Mierry Philippe (CNRS-Centre de Recherche sur l’Hetero-Epitaxie et ses Applications, Rue B. Gregory, 06560 Valbonne, France) ,  Massies Jean (CNRS-Centre de Recherche sur l’Hetero-Epitaxie et ses Applications, Rue B. Gregory, 06560 Valbonne, France) ,  Gil Bernard (CNRS-Universite Montpellier 2, Laboratoire Charles Coulomb and Universite Montpellier 2, UMR 5221, 34095 Montpellier, France)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 55  ページ： 95-101  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子ビームエピタクシーによる(Al,Ga)Al_0 5Ga_0 0.5N上に成長させたNベース量子ドット(QD)は紫外(UV)発光ダイオード(LED)の作製のための活性領域として研究した。第1部では,「極性」(0001)と「半極性」(1122)表面配向の両方を使用して,異なるQD構造の構造的および光学的性質を調べ,比較した。特に,UV領域の発光を得るためにそれらの傾向はそれらの光学的性質に及ぼす内部電場の影響との相関で解析した。第二部では,活性領域としてGaN_0.5Ga_0 0.5N QDを用いた(0001)と(1122)配向LEDを作製した。それらの主要な電流-電圧特性とエレクトロルミネセンス特性を検討し,両方の表面方位に達しLED発光波長範囲に焦点を当てて:それはUV-A領域の大部分は,より長い波長から415 360nmに「極性」LEDを用い,被覆と短く345 325nmに「半極性」LEDのものとできることを示した。添加では,これらのQD-LEDs作業動作に及ぼす内部電場の影響を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： エレクトロルミネセンス ,  活性部位 ,  光学的性質 ,  MBE成長 ,  *発光 ,  極性 ,  *発光ダイオード ,  波長 ,  *量子ドット ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： UV-A ,  内部電場 ,  半極性 ,  *UV-LED , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 量子ドット ,  UV LED ,  半極性(1122)配向 ,  AlGaN ,  分子ビームエピタクシー ,  量子閉込めStark効果

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (2件)： 量子ドット ,  紫外発光ダイオード