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J-GLOBAL ID：201702286391200819   整理番号：17A1141421

光電気化学(PEC)反応を利用したリセスゲートAlGaN/GaN HEMTの作製

著者 (3件)： 植村圭佑 (北大 量集セ) ,  佐藤威友 (北大 量集セ) ,  橋詰保 (北大 量集セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.7p-S22-7  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *光電気化学 ,  *素子構造 ,  *ゲート【半導体】 ,  *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  *エッチング ,  実験 ,  原子間力顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  電流電圧特性 ,  加工速度 ,  表面粗さ ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  *リセス構造 ,  *光電気化学エッチング ,  伝達特性 ,  *窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 光電気化学 ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  作製