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J-GLOBAL ID：201702286859014920   整理番号：17A0443366

MOSFET直列抵抗と移動度劣化モデルパラメータのためのDC抽出法のレビュー【Powered by NICT】

A review of DC extraction methods for MOSFET series resistance and mobility degradation model parameters

著者 (7件)： Ortiz-Conde Adelmo (Solid State Electronics Laboratory, Simon Bolivar University, Caracas 1080A, Venezuela) ,  Sucre-Gonzalez Andrea (Solid State Electronics Laboratory, Simon Bolivar University, Caracas 1080A, Venezuela) ,  Zarate-Rincon Fabian (Electronics Department, Instituto Nacional de Astrofisica, Optica y Electronica, Puebla 72840, Mexico) ,  Torres-Torres Reydezel (Electronics Department, Instituto Nacional de Astrofisica, Optica y Electronica, Puebla 72840, Mexico) ,  Murphy-Arteaga Roberto S. (Electronics Department, Instituto Nacional de Astrofisica, Optica y Electronica, Puebla 72840, Mexico) ,  Liou Juin J. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Central Florida, Orlando, FL 32816, USA) ,  Garcia-Sanchez Francisco J. (Solid State Electronics Laboratory, Simon Bolivar University, Caracas 1080A, Venezuela)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 69  ページ： 1-16  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最新MOSFETの性能が,寄生的な直列抵抗と移動度劣化の存在によって制限されている。本論文では,レビューし,測定したドレイン電流からの寄生直列抵抗と移動度劣化の値を決定するために現在使用されている抽出法の18を評価した。法は3群:異なるマスクチャンネル長さを持ついくつかのデバイスの伝達特性を用いた七つの異なる方法で分離される;異なったドレインとゲートバイアスを持つ単一デバイスに基づく五つの方法ドレインとソース抵抗の間の非対称性を説明する六つの方法。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *移動度 ,  非対称性 ,  *MOSFET
準シソーラス用語： ゲートバイアス ,  伝達特性 ,  ドレイン電流 ,  *モデルパラメータ ,  *直列抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： MOSFETモデルパラメータ抽出 ,  移動度劣化 ,  寄生直列抵抗

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： MOSFET ,  直列抵抗 ,  移動度 ,  劣化モデル ,  パラメータ ,  DC ,  抽出法 ,  レビュー