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J-GLOBAL ID：201702287112396537   整理番号：17A0402538

CMPプロセス中のGLSIシリコン基板の除去速度と表面品質【Powered by NICT】

Removal rate and surface quality of the GLSI silicon substrate during the CMP process

著者 (18件)： Hong Jiao (School of Electronic Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin, China 300130) ,  Hong Jiao (Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, Tianjin 300130, China) ,  Niu Xinhuan (School of Electronic Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin, China 300130) ,  Niu Xinhuan (Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, Tianjin 300130, China) ,  Liu Yuling (School of Electronic Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin, China 300130) ,  Liu Yuling (Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, Tianjin 300130, China) ,  Wang Chenwei (School of Electronic Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin, China 300130) ,  Wang Chenwei (Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, Tianjin 300130, China) ,  Zhang Baoguo (School of Electronic Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin, China 300130) ,  Zhang Baoguo (Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, Tianjin 300130, China) ,  Sun Ming (School of Electronic Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin, China 300130) ,  Sun Ming (Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, Tianjin 300130, China) ,  Wang Juan (School of Electronic Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin, China 300130) ,  Wang Juan (Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, Tianjin 300130, China) ,  Han Liying (School of Electronic Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin, China 300130) ,  Han Liying (Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, Tianjin 300130, China) ,  Zhang Wenqian (School of Electronic Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin, China 300130) ,  Zhang Wenqian (Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, Tianjin 300130, China)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 168  ページ： 76-81  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンウエハをギガ大規模集積(GLSI)の基質として広く用いられている。シリコン化学機械研磨(CMP)因子である研磨したシリコン表面状態にとって非常に重要である,デバイスの品質と収率で重要な役割を果たしているからである。先端技術ノード集積回路(IC)製造に使用されるシリコン基板除去速度と表面品質に及ぼすCMP(化学的機械的因子の影響を本研究の焦点である。特に,けい素CMPに対するpH,温度,および研磨剤濃度の影響を調べた。実験に使用したアルカリ性スラリーは新しいタイプのキレート剤と界面活性剤を含む非水素過酸化物に基づく系であった。pH実験がケイ素除去速度スラリーpH,表面粗さとヘイズに依存しているスラリーpHの増加と共に減少することを示した。温度と研磨剤濃度実験は,研磨温度及び研磨剤濃度がケイ素除去速度,表面粗さ,及び煙霧に及ぼすいくつかの効果を持つことを示した。シリコン除去速度は研磨剤濃度の増加と共に増加したが,表面粗さとヘイズが低下さらに,研磨温度の増加に伴って,ケイ素除去速度,表面粗さおよびヘイズは増加した。シリコンCMPは機械的および化学的プロセスの組み合わせ,機械的および化学的効果の両方の増加はケイ素除去速度の増加に寄与することを示している。,表面品質(粗さとヘイズ)は機械的および化学的効果に依存する化学効果の増加は良好であるが,機械的効果では表面品質に有害である。得られた結果は,シリコンCMPおよび他の材料の研究を促進する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： キレート剤 ,  化学機械研磨 ,  研磨 ,  研磨剤 ,  *表面性状 ,  *ケイ素 ,  スラリー ,  LSI【IC】 ,  過酸化物 ,  化学プロセス ,  基質
準シソーラス用語： ヘイズ ,  アルカリ性 ,  *除去速度 ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： シリコン基板CMP ,  アルカリ性スラリー ,  シリコン除去速度 ,  表面粗さ ,  ヘイズ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： CMP ,  プロセス ,  シリコン基板 ,  除去速度 ,  表面品質