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J-GLOBAL ID：201702289845004866   整理番号：17A0550124

水素化物気相成長法によるp-i-n GaAs太陽電池の作製

Fabrication of p-i-n GaAs solar cells grown by hydride vapor phase epitaxy

著者 (4件)： OSHIMA Ryuji (AIST) ,  MAKITA Kikuo (AIST) ,  UBUKATA Akinori (TAIYO NIPPON SANSO Corp.) ,  SUGAYA Takeyoshi (AIST)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.16p-304-5  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *エピタクシー ,  *PIN接合 ,  *ヒ化ガリウム ,  *太陽電池 ,  電流電圧特性 ,  エネルギー変換効率
準シソーラス用語： *HVPE ,  ホモ接合 ,  多接合太陽電池

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 水素化物 ,  気相成長 ,  GaAs ,  太陽電池 ,  作製