研究者

J-GLOBAL ID：200901022233537537 更新日: 2024年02月14日

菅谷武芳

スガヤタケヨシ | Sugaya Takeyoshi

所属機関・部署：
ホームページURL (1件)： http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=T86443478

研究分野 (1件)：電子デバイス、電子機器

研究キーワード (4件)：分子線エピタキシー半導体量子細線電界効果トランジスタ , Field Effect Transistor , Semiconductor Quantum Wire , Molecular Beam Epitaxy

競争的資金等の研究課題 (2件)：

分子線エピタキシー法を用いた半導体量子細線構造の作製とそのデバイス応用
Device Application of Semiconductor Quantum Wires Fabricated by Molecular Beam Epitaxy

MISC (51件)：

Takeru Amano, Takeyoshi Sugaya, Kazuhiro Komori. Characteristics of 1.3 mu m quantum-dot lasers with high-density and high-uniformity quantum dots. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2006. 89. 17
AMANO Takeru, SUGAYA Takeyoshi, YAMAUCHI Shohgo, KOMORI Kazuhiro. Realization of 1.3 μm InAs quantum dots with high density, uniformity, and quality. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2006. 295. 2. 162-165
Takeyoshi Sugaya, Takeru Amano, Kazuhiro Komori. Improved optical properties of InAs quantum dots grown with an As-2 source using molecular beam epitaxy. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2006. 100. 6. 063107-1-063107-4
T Sugaya, K Komori, T Yamane, S Hori, K Yonei. InGaAs dual channel transistors with negative differential resistance. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2006. 88. 14. 142107-1-142107-3
Keishiro Goshima, Kazuhiro Komori, Shohgo Yamauchi, Isao Morohashi, Amane Shikanai, Takayoshi Sugaya. Pulse area control of exciton Rabi oscillation in InAs/GaAs single quantum dot. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS. 2006. 45. 4B. 3625-3628

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特許 (2件)：

過飽和吸収反射鏡
負性抵抗FET (出願中)

学歴 (2件)：

筑波大学
筑波大学

学位 (1件)：

工学博士

経歴 (2件)：

1994 - 電子技術総合研究所電子デバイス部
1994 - Electrotechnical Laboratory, Electron Devices Division

所属学会 (5件)：

電子情報通信学会 , 応用物理学会 , Information and Communication Engineers , The Institute of Electronics , The Japan Society of Applied Physics

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