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J-GLOBAL ID:201702289897494016   整理番号:17A0313223

高平坦化効率を達成するための阻害剤のないアルカリ性銅CMPスラリーの探索に関する研究【Powered by NICT】

A study on exploring the alkaline copper CMP slurry without inhibitors to achieve high planarization efficiency
著者 (6件):
資料名:
巻: 160  ページ: 5-11  発行年: 2016年07月01日 
JST資料番号: C0406B  ISSN: 0167-9317  CODEN: MIENEF  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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広く使用されている阻害剤,ベンゾトリアゾール(BTA)をスラリーに添加したステップ高さを除去することである。しかし,発癌性化合物であり,CMP後洗浄における取組みを紹介した。本論文では,複雑な銅(II)イオンへの高い活性化エネルギー(FA/Oと命名)を持つユニークなアルカリ性高分子有機キレート剤を用いてこの問題を解決した。モデルはスラリーである阻害剤の自由理由を解明するために提案し,凸と凹領域間の高い除去速度差はステップ高さを除去するのに役立ち得ることを予測した。溶解速度の結果は,静的アルカリ条件におけるFA/Oキレート剤と銅イオン間の反応をほとんどされておらず,アルカリ性溶液中で形成されたCu_2O,CuO及びCu(OH)2を含む,膜は凹み領域における反応からの銅を保護する溶解しないことを示した。これに反して,BTAなしFA/Oベーススラリーを静的溶解速度に比べて非常に高い銅研磨速度を与え,BTA,グリシンスラリー(90.4%)へのBTAの添加と同等の性能を達成しないグリシンスラリー(27.5%)より88.4%のかなり高い平坦化効率(PE)を得た。グリシンに基づく酸性スラリーとFA/Oキレート剤ベースアルカリ性スラリーの間の異なる反応機構を議論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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固体デバイス製造技術一般  ,  固体デバイス材料 
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