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J-GLOBAL ID：201702290402556382   整理番号：17A0362507

集積パワーエレクトロニクスの寿命と製造【Powered by NICT】

Lifetime and manufacturability of integrated power electronics

著者 (3件)： Randoll R. (Daimler AG, Research and Development, Hanns-Klemm-Str. 45, 71034 Boblingen, Germany) ,  Wondrak W. (Daimler AG, Research and Development, Hanns-Klemm-Str. 45, 71034 Boblingen, Germany) ,  Schletz A. (Fraunhofer IISB, Abteilung Bauelemente und Zuverlaessigkeit, Landgrabenstrasse 94, 90443 Nuernberg, Germany)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 64  ページ： 513-518  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電池電気自動車の場合,市場データは販売図形の伝統的な指数関数的勾配,他の技術転移から知られているを示した。世界の設置された風力と太陽光発電容量も指数関数的勾配を示した。パワーエレクトロニクスの電力密度は指数関数的に増大している。パワーエレクトロニクスは電力密度の指数関数的成長を可能にするために必要条件である。パワーエレクトロニクス実装技術への要求は,電気性能,熱性能とロバスト設計である。ボンドワイヤが不足しているため,SMDコンデンサは半導体の近くに設置,寄生インダクタンスの最小化をもたらすことができる。熱,実装技術は,銅リードフレームと薄い誘電体層内部の熱拡散から利益を得た。0.5 8m2K/Wの熱抵抗が得られ,さらに代替誘電体材料による熱抵抗を低減する可能性がある。熱抵抗はさらに両面チップ冷却の構築により少なくとも0.42 0.03K/Wに減少させることができる。ロバスト設計はトップ銅層に接続する銅マイクロバイアに接続するチップ銅メタライゼーションの組合せによって提供されることができ,これは熱膨張係数の違いを意味しない。底側では,銀焼結層は,チップとリードフレーム間の信頼性のある関係を提供する。本論文では,1000Vでの生産プロセスの最適化,熱的最適化可能性,パワーサイクル寿命測定と第一導電性陽極フィラメント寿命測定について述べた。集積化120a700V SiC MOSFETの実証への展望を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 熱膨張係数 ,  銅 ,  熱抵抗 ,  コンデンサ ,  太陽光発電 ,  銀 ,  リードフレーム ,  電力 ,  指数関数 ,  最適化 ,  炭化ケイ素 ,  *パワーエレクトロニクス ,  熱特性 ,  MOSFET
準シソーラス用語： 電力密度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (10件)： PCBに埋め込まれた ,  パワーエレクトロニクス ,  焼結 ,  ガルバニック銅 ,  サーモグラフィにおけるロック ,  熱シミュレーション ,  両面冷却 ,  電力循環 ,  導電性陽極フィラメント ,  SiC

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 集積 ,  パワーエレクトロニクス ,  寿命