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J-GLOBAL ID:201702291015940233   整理番号:17A0402513

ナノ配線への応用のためのグラフェンのドーピング【Powered by NICT】

Doping of graphene for the application in nano-interconnect
著者 (17件):
資料名:
巻: 167  ページ: 42-46  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0406B  ISSN: 0167-9317  CODEN: MIENEF  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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グラフェンは将来のナノ相互接続のための潜在的な候補と考えられている。この点では,化学蒸着(CVD)により合成した単層グラフェン(SLG)および数層グラフェン(FLG)のBroensted酸ドーピング効果を研究した。50%のシート抵抗低減はSLGのHNO_3ドーピングで達成され,9.1μΩcmの抵抗率は銅(例えばRu)の代替金属と同等であった。一方,合成FLGは高い欠陥密度に起因して,より高いシート抵抗を示した。増加したキャリア濃度で移動度劣化はCVDグラフェンのシート抵抗低減のための主要な制限因子である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
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固体デバイス製造技術一般  ,  半導体集積回路  ,  固体デバイス材料 
タイトルに関連する用語 (3件):
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