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J-GLOBAL ID：201702291653014269   整理番号：17A0458906

第一原理分子動力学に基づくグラフェンのSiC(0001)表面への初期形成過程の解析

Analysis of Initial Formation Process of Graphene on SiC(0001) Surfaces Based on the First-Principles Molecular Dynamics

著者 (4件)： IMOTO Fumihiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  IWATA Jun-Ichi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  BOERO Mauro (Univ. Strasbourg, Strasbourg, FRA) ,  OSHIYAMA Atsushi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム講演要旨集  (Abstracts. Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium)
巻： 52nd  ページ： 152  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： L1472A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *分子動力学 ,  *グラフェン ,  *炭化ケイ素 ,  *量子論 ,  熱分解 ,  ナノ構造 ,  ファセット ,  表面構造 ,  密度汎関数法 ,  表面テラス ,  ケイ素 ,  脱着 ,  *量子動力学 ,  構造
準シソーラス用語： Car-Parrinello法 ,  ナノファセット ,  *第一原理分子動力学法

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (7件)： 第一原理 ,  分子動力学 ,  グラフェン ,  SiC ,  初期 ,  形成過程 ,  解析