特許
J-GLOBAL ID：201703017562442993
トランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
棚井 澄雄
, 佐伯 義文
, 高橋 久典
, 沖田 壮男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-119311
公開番号（公開出願番号）：特開2016-178342
特許番号：特許第6205017号
出願日： 2016年06月15日
公開日（公表日）： 2016年10月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ダイヤモンド薄膜を形成することと、
前記ダイヤモンド薄膜の表面の少なくとも一部に対して、フッ素ガス或いは炭素を含まないフッ素系ガスを用いて被曝処理を行うことにより、前記ダイヤモンド薄膜の表面にフルオロカーボンの堆積膜を堆積させずに前記ダイヤモンド薄膜の水素終端の一部をフッ素終端に置換する処理を行うことと、
前記ダイヤモンド薄膜の表面の一部上にゲートを形成することと、
前記ダイヤモンド薄膜の形成と前記置換処理との間に、前記ダイヤモンド薄膜上にソース電極及びドレイン電極を形成することと
を有する、トランジスタの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, C30B 29/04 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, G01N 27/416 ( 200 6.01)
, G01N 27/414 ( 200 6.01)
H01L 29/78 625
, C30B 29/04 A
, H01L 29/78 627 E
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 618 F
, H01L 29/78 617 Z
, G01N 27/416 353 Z
, G01N 27/414 301 U
