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発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-031102
公開番号（公開出願番号）：特開2012-168120
出願日： 2011年02月16日
公開日（公表日）： 2012年09月06日
要約：
FI (5件)：
引用特許：
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出願人/特許権者：
横河電機株式会社
横河電機株式会社 について
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-031102
公開番号（公開出願番号）：特開2012-168120
出願日： 2011年02月16日
公開日（公表日）： 2012年09月06日
要約：
【課題】参照極の不具合を解消するとともに、厳しい環境下でも使用可能なイオンセンサ等を提供する。【解決手段】第2のpチャネル電界効果トランジスタのゲート部分の半導体表面の終端の測定対象イオンに対する感度が、第1のpチャネル電界効果トランジスタのゲートの部分の半導体表面の終端の前記測定対象イオンに対する感度よりも高くされる。前記第1のpチャネル電界効果トランジスタにおける前記半導体表面がダイヤモンドを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
参照極と、作用極とを備え、前記参照極および前記作用極の出力に基づいて被測定液のイオン濃度を測定するイオンセンサにおいて、
前記参照極は第1のpチャネル電界効果トランジスタにより構成され、
前記作用極は第2のpチャネル電界効果トランジスタにより構成され、
前記第2のpチャネル電界効果トランジスタのゲート部分の半導体表面の終端と前記第1のpチャネル電界効果トランジスタのゲートの部分の半導体表面の終端とが異なり、
前記第1のpチャネル電界効果トランジスタにおける前記半導体表面がダイヤモンドを有する
ことを特徴とするイオンセンサ。
IPC (2件)： FI (5件)：
引用特許：
審査官引用 (6件)
引用文献： - イオンセンサ
公報種別：公開公報 出願番号：特願2008-083283 出願人：株式会社堀場製作所 - 生体分子検出装置及びそれを用いた生体分子検出方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願2005-095675 出願人：株式会社日立製作所 - pチャネル電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報 出願番号：特願2002-274343 出願人：科学技術振興事業団
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審査官引用 (2件)
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